[發明專利]RC振蕩器

有效

• 申請號: 201310390561.2
• 申請日: 2013-08-30
• 公開（公告）號: CN103475337A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 王建軍;朱家訓;朱定飛;鄧廷;梅月;譚岳德;向銘
• 申請（專利權）人: 珠海中慧微電子有限公司
• 主分類號: H03K3/011
• 分類號: H03K3/011
• 代理公司: 廣東秉德律師事務所 44291
• 代理人: 楊煥軍;朱鵬

1.一種RC振蕩器，包括工作電壓、基準電路模塊、第一P溝道MOS管、第三P溝道MOS管、第四P溝道MOS管、振蕩核心邏輯電路、第一放電開關、第二放電開關、第一時序電容和第二時序電容；基準電路模塊設有基準電壓輸出端和電路輸出端；振蕩核心邏輯電路設有第一比較輸入端、第二比較輸入端、基準電壓輸入端、第一控制信號輸出端、第二控制信號輸出端和時鐘信號輸出端；電路輸出端連接第一P溝道MOS管的漏端，第一P溝道MOS管的源極連接工作電源，第一P溝道MOS管的柵極和漏極相連；第三P溝道MOS管的源極、第四P溝道MOS管的源極均連接工作電源，第三P溝道MOS管的柵極、第四P溝道MOS管的柵極均連接第一P溝道MOS管的柵極，第三P溝道MOS管的漏極、第一比較輸入端、第一放電開關的第一端均連接第一時序電容的正端，第一時序電容的負端接地；第四P溝道MOS管的漏極、第二比較輸入端、第二放電開關的第一端連接第二時序電容的正端，第二時序電容的負端接地；第一控制信號輸出端、第二控制信號輸出端分別對應控制連接第一放電開關、第二放電開關；

其特征在于，

還包括第二P溝道MOS管、壓降模塊、第一N溝道MOS管、第二N溝道MOS管、第三N溝道MOS管、電阻Rs1、退化電阻Rs2和退化電阻Rs3；第二P溝道MOS管的源極連接工作電源，第二P溝道MOS管的柵極連接第一P溝道MOS管的柵極，第二P溝道MOS管的漏極通過壓降模塊連接第一N溝道MOS管的漏極，第一N溝道MOS管的源極通過電阻Rs1接地，第一N溝道MOS管的柵極和漏極連接；第二N溝道MOS管的柵極、第三N溝道MOS管的柵極均連接第一N溝道MOS管的柵極，第二N溝道MOS管的源極通過退化電阻Rs2接地，第二N溝道MOS管的漏極連接第一放電開關的第二端，第三N溝道MOS管的源極通過退化電阻Rs3接地，第三N溝道MOS管的漏極連接第二放電開關的第二端。

2.根據權利要求1所述的RC振蕩器，其特征在于，所述第三P溝道MOS管的漏極與所述第一時序電容的正端之間串接有補償電阻Rs4，所述第四P溝道MOS管的漏極和所述第二時序電容的正端之間串接有補償電阻Rs5。

3.根據權利要求2所述的RC振蕩器，其特征在于，補償電阻Rs4與補償電阻Rs5為相同的元件。

4.根據權利要求1所述的RC振蕩器，其特征在于，電阻Rs1、退化電阻Rs2、退化電阻Rs3采用同一類型的正溫度系數的電阻實現。

5.根據權利要求1所述的RC振蕩器，其特征在于，電阻Rs1、退化電阻Rs2、退化電阻Rs3均由同一類型的正溫度系數的有源阻抗元件實現。

6.根據權利要求1所述的RC振蕩器，其特征在于，退化電阻Rs2與退化電阻Rs3為相同的元件，第二N溝道MOS管與第三N溝道MOS管為相同的元件，第三P溝道MOS管與第四P溝道MOS管為相同的元件。

7.根據權利要求1所述的RC振蕩器，其特征在于，所述振蕩核心邏輯電路包括第一比較器、第二比較器、第一或非門、第二或非門、第一非門、第二非門、緩沖器，第一比較器的負輸入端和第二比較器的負輸入端相互連接并作為基準電壓輸入端連接基準電壓輸出端，第一比較器的正輸入端連接第一時序電容的正端，第二比較器的正輸入端連接第二時序電容的正端，第一比較器的輸出端連接第一或非門的第一輸入端，第二比較器的輸出端連接第二或非門的第一輸入端，第一或非門的輸出端連接第二或非門的第二輸入端、第一非門的輸入端，第二或非門的輸出端連接第一或非門的第二輸入端，第一非門的輸出端連接第二非門的輸入端，第二非門的輸出端連接緩沖器的輸入端，第一非門的輸出端作為第一控制信號輸出端，第二非門的輸出端作為第二控制信號輸出端。

8.根據權利要求1至7任意一項所述的RC振蕩器，其特征在于，所述基準電路模塊包括電阻Rv1、電阻Rv2和隔離電流源，電阻Rv1的第二端依次通過電阻Rv2、隔離電流源接地，電阻Rv1的第一端作為電路輸出端連接第一P溝道MOS管Mp1的漏端，電阻Rv1的第二端作為基準電壓輸出端。