[發明專利]一種IGBT的制造方法

在審

• 申請號: 201310390475.1
• 申請日: 2013-08-30
• 公開（公告）號: CN104425254A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發明（設計）人: 黃璇;王萬禮;王根毅
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331
• 代理公司: 無錫互維知識產權代理有限公司 32236
• 代理人: 龐聰雅;張莉

1.一種IGBT的制造方法，其特征在于，其包括：

提供具有第一表面和第二表面的第一導電類型的半導體晶片，在所述半導體晶片的第一表面上進行雜質注入以形成第一導電類型或第二導電類型的導電層；

在所述導電層內間隔的形成延伸入所述導電層內的第二導電類型或第一導電類型的通道，其中所述通道的導電類型與所述導電層的導電類型不同，此時所述通道和所述導電層間隔交錯排布；

在所述通道上形成氧化層；

在所述氧化層上鍵合襯底半導體晶片;

自所述半導體晶片的第二表面減薄所述半導體晶片，并將減薄后的第一導電類型的半導體晶片作為漂移區；

基于所述漂移區形成所述IGBT的正面結構；

去除所述襯底半導體晶片；

去除所述氧化層；

在所述通道和導電層上形成背面金屬電極，該背面金屬電極與所述通道和導電層電性接觸。

2.根據權利要求1所述的IGBT的制造方法，其特征在于，提供的所述半導體晶片的厚度為200-700um，電阻率為5～500Ω*cm。

3.根據權利要求1所述的IGBT的制造方法，其特征在于，在所述半導體晶片的第一表面上注入導電層的注入劑量為1E13～1E20cm^-2，能量為30～200KEV。

4.根據權利要求1所述的IGBT的制造方法，其特征在于，通過光刻、離子注入、高溫推阱、激活工藝在所述導電層內間隔的形成所述通道，所述離子注入的注入劑量為1E13～1E20cm^-2，能量為30～200KEV。

5.根據權利要求1所述的IGBT的制造方法，其特征在于，通過熱氧化或CVD方式在所述導電層和通道上形成氧化層，所述氧化層的厚度為0.01-5um。

6.根據權利要求1所述的IGBT的制造方法，其特征在于，在所述氧化層上鍵合的所述襯底半導體晶片的厚度為50-650um。

7.根據權利要求1所述的IGBT的制造方法，其特征在于，在基于所述漂移區形成所述IGBT的正面結構前，所述制造方法還包括：

通過CMP或濕法腐蝕方式平坦對所述減薄的所述半導體晶片的第二表面。

8.根據權利要求1所述的IGBT的制造方法，其特征在于，所述襯底半導體晶片的厚度和所述鍵合形成的漂移區的厚度的和為正常流通半導體晶片厚度。

9.根據權利要求1所述的IGBT的制造方法，其特征在于，所述IGBT的正面結構包括：

在所述漂移區的上表面上有選擇的形成的第一導電類型的基區；

在所述基區內有選擇的形成的第二導電類型的發射極區；

位于所述漂移區的上表面上的柵氧化層；

在所述柵極氧化層的上表面上形成的多晶硅柵極；

覆蓋所述柵極氧化層和多晶硅柵極的介質層；

與所述基區和所述發射極區電性接觸的正面金屬電極。

10.根據權利要求7所述的IGBT的制造方法，其特征在于，所述IGBT的正面結構包括：

形成于正面金屬電極外側的鈍化層。