[發(fā)明專利]一種多孔氧化物半導(dǎo)體納米薄膜制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310390421.5
• 申請(qǐng)日: 2013-08-30
• 公開（公告）號(hào): CN103451609A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王浩靜;李濤濤;王紅飛;劉歡;楊利青;胡煒杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)科學(xué)院西安光學(xué)精密機(jī)械研究所
• 主分類號(hào): C23C14/34
• 分類號(hào): C23C14/34;C23C14/58;B82Y40/00;G01N27/12
• 代理公司: 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 61211
• 代理人: 王少文

1.一種多孔氧化物半導(dǎo)體納米薄膜的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：?

1】采用兩種不同成分的靶材，其中一種靶材的成分為具有半導(dǎo)體特性的金屬氧化物，或與該金屬氧化物對(duì)應(yīng)的金屬；另一種靶材的成分為可溶于水的鹽類。將此兩種靶材通過共濺射法在基底表面同時(shí)或交替沉積薄膜，預(yù)制成具有氧化物/可溶鹽兩種晶相的復(fù)合納米薄膜。?

2】對(duì)步驟1】所得到的復(fù)合納米薄膜進(jìn)行水洗，使可溶鹽溶解，得到多孔納米薄膜。?

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多孔氧化物半導(dǎo)體納米薄膜的制備方法，其特征在于：所述金屬氧化物靶材為ZnO、SnO₂或TiO₂，對(duì)應(yīng)的金屬為Zn、Sn或Ti，所述可溶鹽類可以為NaCl、KCl或CaCl₂等。?

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多孔氧化物半導(dǎo)體納米薄膜的制備方法，其特征在于：所述共濺射法可為磁控濺射法、離子束濺射沉積法、脈沖激光沉積法中的一種或者兩種以上共沉積。?

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多孔氧化物半導(dǎo)體納米薄膜的制備方法，其特征在于：濺射過程中，造孔劑不與氧化物反應(yīng)、不固溶，或者固溶后對(duì)氧化物導(dǎo)電性不造成負(fù)面影響。?

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多孔氧化物半導(dǎo)體納米薄膜的制備方法，其特征在于：組成步驟1】中所形成復(fù)合薄膜的兩種組份的物質(zhì)的量之比可以通過各自靶材的濺射功率調(diào)控。?

6.據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于：所制備的薄膜晶粒和孔徑在納米級(jí)，孔隙度在0-40%范圍內(nèi)可控，薄膜厚度在50-1000nm可調(diào)。?

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多孔氧化物半導(dǎo)體納米薄膜的制備方法，其特征在于：在步驟2】之后還包括將多孔納米薄膜烘干、退火的步驟。?