[發明專利]一種NAND閃存單元

有效

• 申請號: 201310389411.X
• 申請日: 2013-08-30
• 公開（公告）號: CN104425012B
• 公開（公告）日: 2019-04-05
• 發明（設計）人: 蘇志強;劉會娟
• 申請（專利權）人: 北京兆易創新科技股份有限公司
• 主分類號: G11C16/06
• 分類號: G11C16/06
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司 11332
• 代理人: 胡彬

1.一種NAND閃存單元，其特征在于，包括分立的NAND存儲芯片和控制芯片，其中，所述控制芯片與所述NAND存儲芯片相連，并且包含控制模塊和管理模塊，所述控制模塊用于對所述NAND存儲芯片進行控制，所述管理模塊用于接收所述控制模塊的數據和指令，并且對所述數據和所述指令進行管理，然后發送給所述NAND存儲芯片；所述NAND存儲芯片包括NAND存儲模塊和NAND存儲芯片數據緩存，所述NAND存儲芯片數據緩存用于緩存所述NAND存儲模塊的輸出數據。

2.根據權利要求1所述的NAND閃存單元，其特征在于，所述NAND存儲芯片包含疊封的多顆芯片。

3.根據權利要求1所述的閃存單元，其特征在于，所述NAND存儲芯片和所述控制芯片通過封裝方式相連接。

4.根據權利要求3所述的閃存單元，其特征在于，所述NAND存儲芯片和所述控制芯片通過疊封方式相連接。

5.根據權利要求2所述的NAND閃存單元，其特征在于，疊封的多顆芯片的每顆芯片包含：

NAND存儲模塊；

NAND存儲芯片數據緩存，用于緩存所述NAND存儲模塊的輸出數據。

6.根據權利要求1所述的NAND閃存單元，其特征在于，所述控制芯片用于對所述NAND存儲芯片的數據存取進行控制。

7.根據權利要求1所述的NAND閃存單元，其特征在于，所述管理模塊為閃存傳輸層閃存模塊。

8.根據權利要求7所述的NAND閃存單元，其特征在于，所述閃存傳輸層管理模塊包含：

磨損均衡單元，用于均衡不同存儲塊之間的磨損；

垃圾回收單元，用于回收廢棄數據；

壞塊管理單元，用于剔除使用過程中產生的壞塊；

差錯控制單元，用于數據糾錯。

9.根據權利要求1所述的閃存單元，其特征在于，所述控制芯片還包含數據緩沖模塊，所述數據緩存模塊用作所述控制模塊的緩存和所述管理模塊的緩存。

10.根據權利要求1所述的NAND閃存單元，其特征在于，所述控制模塊還包含具有以下的電壓控制模塊包含：

NAND高壓產生電路，用于產生所述NAND存儲模塊讀寫所需的電壓，并將所述電壓輸出給所述NAND存儲模塊；

NAND高壓控制電路，用于控制各個所述NAND存儲模塊讀寫操作所需的電壓。