[發(fā)明專利]一種GTR-KTP晶體的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310389390.1 | 申請日： | 2013-08-30 |
| 公開（公告）號： | CN103451731A | 公開（公告）日： | 2013-12-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 喬永軍;馮彧;翟仲軍;李杰;逄洪雷;李勇;董勝明 | 申請（專利權(quán)）人： | 山東華特知新材料有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/22 | 分類號： | C30B29/22;C30B15/20 |
| 代理公司： | 濟南圣達知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 37221 | 代理人： | 崔苗苗 |
| 地址： | 250101 山東省濟南市高新*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 gtr ktp 晶體 制備 方法 | ||
1.一種GTR-KTP晶體的制備方法，其特征是，包括步驟如下：
（1）將KH2PO4用蒸餾水溶解，用超細膜過濾裝置過濾，通過低溫溶液法生長出高純KH2PO4晶體料；
（2）將步驟（1）得的KH2PO4材料與K2CO3、TiO2按質(zhì)量比8:1:1的比例混合后，攪拌均勻放入鉑金坩堝中，爐體內(nèi)無雜質(zhì)氣氛升溫到1000℃將原料熔化反應(yīng)，反應(yīng)時間18～24h，升溫至1100℃燒料24～36hh，然后恒溫1100℃攪拌36～48h，形成均勻穩(wěn)定的高溫溶液；
（3）采用頂端與提拉相結(jié)合的方法生長的GTR-KTP晶體：將高溫溶液晶體在轉(zhuǎn)動、提拉中降溫，起始溫度910±20℃，分前期和后期，前期的降溫速度、提拉速率均小于后期的，整個生長周期降溫200±20℃，周期長70-90天，晶體轉(zhuǎn)動速率40～50rpm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種GTR-KTP晶體的制備方法，其特征是，步驟（1）中KH2PO4用蒸餾水溶解的質(zhì)量濃度范圍為50～60%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種GTR-KTP晶體的制備方法，其特征是，步驟（2）所述的爐體內(nèi)無雜質(zhì)氣氛為爐體內(nèi)爐膛用鉑金覆蓋形成超環(huán)境。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種GTR-KTP晶體的制備方法，其特征是，步驟（3）所述的前期降溫0.5℃～1℃/天，提拉速率0.1mm～0.2mm/天，時間30-35天；后期降溫2℃～3℃/天，提拉速率0.3mm～0.5mm/天，時間40-55天。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種GTR-KTP晶體的制備方法，其特征是，所述的轉(zhuǎn)動方式為：正轉(zhuǎn)90s、反轉(zhuǎn)90s、停轉(zhuǎn)15s，循環(huán)，前后期轉(zhuǎn)動方式相同。
6.權(quán)利要求1所述的方法制備的抗灰跡晶體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的抗灰跡晶體，其特征是，KTiOPO4和K6P4O13的質(zhì)量比為40%。
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