[發明專利]800nm連續激光激發的稀土上轉換納米顆粒(UCNPs)及其制備方法和用途有效
| 申請號: | 201310389311.7 | 申請日: | 2013-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN103450875A | 公開(公告)日: | 2013-12-18 |
| 發明(設計)人: | 姚建年;鐘業騰;馬穎;谷戰軍 | 申請(專利權)人: | 中國科學院化學研究所 |
| 主分類號: | C09K11/02 | 分類號: | C09K11/02;C09K11/85;C09K11/78 |
| 代理公司: | 北京慶峰財智知識產權代理事務所(普通合伙) 11417 | 代理人: | 劉元霞 |
| 地址: | 100190 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 800 nm 連續 激光 激發 稀土 轉換 納米 顆粒 ucnps 及其 制備 方法 用途 | ||
1.一種具有“核-殼-殼”結構的稀土上轉換納米顆粒(UCNPs),其特征在于,所述稀土上轉換納米顆粒外殼層含有Nd3+,且各層均含有Yb3+。
2.根據權利要求1的上轉換納米顆粒,其特征在于,所述稀土上轉換納米顆粒為六方相。優選地,所述稀土上轉換納米顆粒可以在800nm下激發。
3.根據權利要求1-2任一項的上轉換納米顆粒,其特征在于,所述基質為NaYF4,NaGdF4,KYF4,KGdF4,Y2O3,YF3,LaF3。
4.根據據權利要求1-3任一項的上轉換納米顆粒,其特征在于,所述納米顆粒的基質結構為:AYF4:Yb,X,AGdF4:Yb,X或Y2O3:Yb,X,其中X為Er、Tm或Ho,A為Na或K。
5.根據權利要求1-4任一項的上轉換納米顆粒,其特征在于,所述納米顆粒的第一殼(內殼層)結構為:AYF4:Yb,AGdF4:Yb,Y2O3:Yb,A為Na或K。
6.根據權利要求1-5任一項的上轉換納米顆粒,其特征在于,所述納米顆粒的第二殼(外殼層)結構為:ANdF4:Yb,Nd2O3:Yb,A為Na或K。
7.根據權利要求1-6任一項的上轉換納米顆粒,其特征在于,所述納米顆粒的具體結構為:
NaYF4:Yb,X@NaYF4:Yb@NaNdF4:Yb;
NaYF4:Yb,X@NaYF4:Yb@Nd2O3:Yb;
NaYF4:Yb,X@Y2O3:Yb@NaNdF4:Yb;
NaYF4:Yb,X@Y2O3:Yb@Nd2O3:Yb;
NaGdF4:Yb,X@NaYF4:Yb@NaNdF4:Yb;
NaGdF4:Yb,X@NaYF4:Yb@Nd2O3:Yb;
NaGdF4:Yb,X@Y2O3:Yb@NaNdF4:Yb;
NaGdF4:Yb,X@Y2O3:Yb@Nd2O3:Yb;
Y2O3:Yb,X@NaYF4:Yb@NaNdF4:Yb;
Y2O3:Yb,X@NaYF4:Yb@Nd2O3:Yb;
Y2O3:Yb,X@Y2O3:Yb@NaNdF4:Yb;
Y2O3:Yb,X@Y2O3:Yb@Nd2O3:Yb;
其中X為Er、Tm或Ho。
此外,上述具體結構中的Na可被K分別替換。
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