[發明專利]非均勻傳輸線和制造其的方法

無效

• 申請號: 201310388849.6
• 申請日: 2003-05-28
• 公開（公告）號: CN103904394A
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 羅伯特·J·塞克斯頓;邁克爾·W·麥柯迪;大衛·默里;詹姆士·M·波特;琳達·休·沃林
• 申請（專利權）人: 尼威爾公司
• 主分類號: H01P3/02
• 分類號: H01P3/02;H01P3/08;H01P11/00;H05K1/02
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 王偉;安翔

1.一種非均勻傳輸線，包括：

至少一個構圖傳導層；

與所述至少一個構圖傳導層相鄰的電介質層；和

包圍所述至少一個構圖傳導層和所述電介質層的絕緣層，由此形成所述非均勻傳輸線。

2.根據權利要求1所述的非均勻傳輸線，其中所述至少一個構圖傳導層之間的間距沿所述非均勻傳輸線的長度是非均勻的。

3.根據權利要求1所述的非均勻傳輸線，其中所述至少一個構圖傳導層沿所述非均勻傳輸線的長度是非均勻的。

4.根據權利要求1所述的非均勻傳輸線，其中所述至少一個構圖傳導層包括多個構圖傳導層，并且其中所述電介質層形成在所述構圖傳導層之間。

5.根據權利要求1所述的非均勻傳輸線，其中所述電介質層包括多個電介質層。

6.根據權利要求1所述的非均勻傳輸線，其中所述至少一個構圖傳導層包括具有多平面配置的多個構圖傳導層，并且其包括：

在第一水平平面中的第一傳導層；和

在第二水平平面中的第二傳導層。

7.根據權利要求1所述的非均勻傳輸線，其中所述非均勻傳輸線包括撓性的非均勻傳輸線。

8.根據權利要求1所述的非均勻傳輸線，其中所述至少一個構圖傳導層包括多個構圖傳導層，并且其中在折曲所述非均勻傳輸線時保持了所述構圖傳導層之間的分隔距離。

9.根據權利要求1所述的非均勻傳輸線，其中所述電介質層具有0.00025至0.250英寸的厚度。

10.根據權利要求1所述的非均勻傳輸線，其中所述電介質層具有1.0至10.0的介電常數和0.1至0.000001的耗散因數。

11.根據權利要求1所述的非均勻傳輸線，其中所述電介質層包括聚合物。

12.根據權利要求1所述的非均勻傳輸線，其中所述電介質層包括聚丙烯、聚酯和聚乙烯中的一個。

13.根據權利要求1所述的非均勻傳輸線，其中對所述電介質層進行構圖。

14.根據權利要求1所述的非均勻傳輸線，其中所述電介質層包括多個電介質層。

15.根據權利要求1所述的非均勻傳輸線，其中所述至少一個構圖傳導層在給定的周期中具有非均勻圖形。

16.根據權利要求1所述的非均勻傳輸線，其中所述至少一個構圖傳導層具有不大于約0.1英寸的厚度。

17.根據權利要求1所述的非均勻傳輸線，其中所述至少一個構圖傳導層包括導電層。

18.根據權利要求17所述的非均勻傳輸線，其中所述導電層包括金屬、多晶硅、陶瓷、碳纖維和傳導墨水中的至少一個。

19.一種非均勻傳輸線，包括：

包含至少一個構圖傳導層至少一個傳輸群；

與所述至少一個構圖傳導層相鄰形成的電介質層；和

覆蓋所述至少一個傳輸群和所述電介質層的絕緣層，由此形成所述非均勻傳輸線。

20.根據權利要求19所述的非均勻傳輸線，其中所述至少一個構圖傳導層包括多個構圖傳導層，并且其中傳輸群中的所述構圖傳導層之間的空間沿所述非均勻傳輸線的長度是非均勻的。

21.根據權利要求19所述的非均勻傳輸線，其中所述至少一個構圖傳導層包括多個構圖傳導層。

22.根據權利要求21所述的非均勻傳輸線，其中所述電介質層形成在所述構圖傳導層之間。

23.根據權利要求19所述的非均勻傳輸線，其中所述至少一個傳輸群包括多個傳輸群。

24.根據權利要求23所述的非均勻傳輸線，其中所述多個傳輸群是共面的，并且其中在每個傳輸群的構圖傳導層之間形成相同的電介質層。

25.根據權利要求23所述的非均勻傳輸線，其中所述多個傳輸群位于分立的平面中，由此形成了多平面配置，并且其中在每個傳輸群之間形成了分立的絕緣層。

26.根據權利要求23所述的非均勻傳輸線，其中所述多個傳輸群包括2至25個范圍的傳輸群。