[發明專利]一種帶隙基準電路

有效

• 申請號: 201310388813.8
• 申請日: 2013-08-30
• 公開（公告）號: CN103440015A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發明（設計）人: 楊守軍;王振彪
• 申請（專利權）人: 廈門意行半導體科技有限公司
• 主分類號: G05F1/567
• 分類號: G05F1/567
• 代理公司: 福建煉海律師事務所 35215
• 代理人: 許育輝

1.一種帶隙基準電路，包括電源電壓Vcc、帶隙核電路和電流源，其特征在于，所述電流源包括負溫度系數電流生成單元和正溫度系數電流生成單元，所述負溫度系數電流生成單元包括NPN晶體管Q5、電阻R7、電阻R4和負溫度系數電壓生成模塊，所述電阻R7一端連接電源電壓Vcc，另一端連接NPN晶體管Q5的集電極，所述NPN晶體管Q5的基極經負溫度系數電壓模塊與帶隙核電路的輸入端連接，其發射極經電阻R4與帶隙核電路的輸入端連接；所述正溫度系數電流生成單元的輸入端連接電源電壓Vcc端，其輸出端連接NPN晶體管Q5的基極。

2.如權利要求1所述的一種帶隙基準電路，其特征在于，所述負溫度系數電壓生成模塊包括m個負溫度系數電壓單元，m≥1，所述負溫度系數電壓單元為二極管，或為采用二極管接法的NPN晶體管；所述負溫度系數電壓生成模塊所產生電壓的正極與NPN晶體管Q5的基極連接，負極與帶隙核電路的輸入端連接。

3.如權利要求2所述的一種帶隙基準電路，其特征在于，當m≥2時,所述m個二極管同向串聯，或m個采用二極管接法的NPN晶體管同向串聯。

4.如權利要求3所述的一種帶隙基準電路，其特征在于，所述NPN晶體管的二極管接法為集電極和基極短接。

5.如權利要求3所述的一種帶隙基準電路，其特征在于，所述NPN晶體管的二極管接法為發射極和基極短接，或為發射極和集電極短接。

6.如權利要求1-5任一項所述的一種帶隙基準電路，其特征在于，所述正溫度系數電流生成單元包括電阻R6，生成正溫度系數電流I_R6。

7.如權利要求6所述的一種帶隙基準電路，其特征在于，所述電阻R7阻值≥0，電阻R4和電阻R6為負溫度系數電阻。

8.如權利要求7所述的一種帶隙基準電路，其特征在于，所述電阻R6值>>電阻R4值。

9.如權利要求8所述的一種帶隙基準電路，其特征在于，還包括輸出帶隙參考電壓Vout的驅動輸出級電路，其包括電阻R8、電阻R9和晶體管Q8，所述電阻R8的一端連接電源電壓Vcc，另一端連接晶體管Q8的集電極；所述晶體管Q8的基極連接帶隙核電路的輸入端和Vout輸出端，其發射極連接電阻R9的一端；電阻R9的另一端接地。