[發明專利]光伏裝置

有效

• 申請號: 201310388745.5
• 申請日: 2013-08-30
• 公開（公告）號: CN103681931B
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發明（設計）人: D.F.富斯特;曹洪波;L.A.克拉克;R.A.加伯爾;S.D.菲爾德曼-皮博迪;W.K.梅茨格爾;單英輝;R.舒巴
• 申請（專利權）人: 通用電氣公司
• 主分類號: H01L31/073
• 分類號: H01L31/073;H01L31/0352
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 姜甜;湯春龍

1.一種光伏裝置，包括：

窗口層；

半導體層，所述半導體層包括安置在所述窗口層上的半導體材料，其中所述半導體層包括安置在所述窗口層附近的第一區域和富含硫族元素的區域，

其中所述半導體層包括碘，

其中所述第一區域和所述富含硫族元素的區域包括摻雜劑，并且所述富含硫族元素的區域中所述摻雜劑的平均原子濃度大于所述第一區域中所述摻雜劑的平均原子濃度，

其中所述富含硫族元素的區域中碘的平均濃度處于從1 x 10¹⁶原子/cm³到1 x 10¹⁹ 原子/cm³的范圍內。

2.根據權利要求1所述的光伏裝置，其中所述第一區域中的所述摻雜劑包括銅、銀、金或其組合。

3.根據權利要求1所述的光伏裝置，其中所述富含硫族元素的區域是富碲區域。

4.根據權利要求3所述的光伏裝置，其中所述富碲區域中碲與鎘的原子比比2大。

5.根據權利要求1所述的光伏裝置，其中所述富含硫族元素的區域中的所述摻雜劑包括銅、銀、金或其組合。

6.根據權利要求1所述的光伏裝置，其中所述富含硫族元素的區域中所述摻雜劑的平均原子濃度與所述第一區域中所述摻雜劑的平均原子濃度之間的比率比10大。

7.根據權利要求1所述的光伏裝置，其中所述半導體材料包括碲化鎘、碲化鎂、碲化汞、碲化鉛、碲化鋅、硒化鎘、硒化汞、硒化鉛、硒化鋅、硫化鎘、硫化汞、硫化鋅、硫化鉛、碲化鎘鋅、硫碲化鎘、碲化鎘錳、碲化鎘鎂中的一個或多個。

8.根據權利要求1所述的光伏裝置，進一步包括：

載體；

安置在所述載體上的透明傳導層；以及

所述窗口層安置在所述透明傳導層上。

9.根據權利要求8所述的光伏裝置，進一步包括背接觸層，其中所述半導體層安置在所述窗口層與所述背接觸層之間，并且其中所述富含硫族元素的區域安置在所述背接觸層附近。

10.根據權利要求1所述的光伏裝置，進一步包括：

載體；

所述載體上的背接觸層；以及

所述半導體層安置在所述背接觸層與所述窗口層之間，其中所述富含硫族元素的區域安置在所述背接觸層附近。

11.一種光伏模塊，其包括如權利要求1所述的光伏裝置。

12.一種光伏裝置，包括：

窗口層；以及

安置在所述窗口層上的半導體層，其中所述半導體層包括第一區域和富碲區域，所述第一區域安置在所述窗口層附近，其中

所述半導體層包括碘，

所述第一區域包括摻雜劑，其中所述摻雜劑包括銅、銀、金或其組合，

其中所述半導體層中碘的平均濃度處于從1 x 10¹⁵原子/cm³到1 x 10¹⁹ 原子/cm³的范圍內，

所述富碲區域包括所述摻雜劑，以及

其中所述富碲區域中所述摻雜劑的平均原子濃度大于所述第一區域中所述摻雜劑的平均原子濃度。

13.根據權利要求12所述的光伏裝置，其中所述富碲區域中碲與鎘的原子比比2大。

14.根據權利要求12所述的光伏裝置，其中所述富碲區域中所述摻雜劑的平均原子濃度與所述第一區域中所述摻雜劑的平均原子濃度之間的比率比10大。

15.根據權利要求12所述的光伏裝置，其中所述半導體層中碘的濃度在所述半導層的厚度上變化。