[發(fā)明專利]提高OLED器件外量子效率的稀土聚合物復合材料、薄膜及其制備方法及OLED器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310388560.4
• 申請日: 2013-08-30
• 公開（公告）號: CN103441219A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設計）人: 李江淮;馬德林
• 申請（專利權）人: 立達信綠色照明股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市博銳專利事務所 44275
• 代理人: 張明

1.一種提高OLED器件外量子效率的稀土聚合物復合材料，其特征在于，是TCPTU與稀土元素化合物化合形成的；

其中，TCPTU為側(cè)鏈帶硅氧烷的聚硫代氨基甲酸酯，結構如下：

其中，MES為2,2-二硫基乙硫醚；TDI為2,4-甲苯二異氰酸酯；TMTEA為三乙硫醇氨；n為正整數(shù)。

2.如權利要求1所述的提高OLED器件外量子效率的稀土聚合物復合材料，其特征在于，所述稀土元素化合物為三氧化二鈰、二氧化鈰。

3.如權利要求1所述的提高OLED器件外量子效率的稀土聚合物復合材料，其特征在于，所述稀土元素化合物為氧化鑭、氧化鐠、氧化銣、氧化釤、氧化銩、氧化釹、氧化釔、氧化鈥、氧化鋱、氧化镥、氧化鐿、氧化鏑、氧化鈧、氧化鉺、氧化釓或氧化銪。

4.如權利要求3所述的提高OLED器件外量子效率的稀土聚合物復合材料，其特征在于，是由TCPTU與氧化鑭化合形成的，其結構如下：

5.如權利要求1至3任一項所述的提高OLED器件外量子效率的稀土聚合物復合材料，其特征在于，TCPTU與稀土元素化合物之間以共價鍵連接。

6.如權利要求5所述的提高OLED器件外量子效率的稀土聚合物復合材料，其特征在于，是以TCPTU與稀土元素化合物作為反應物，通過溶膠凝膠法反應而得。

7.如權利要求1所述的提高OLED器件外量子效率的稀土聚合物復合材料，其特征在于：其折射率范圍在2.5-3.0之間。

8.一種提高OLED器件外量子效率的稀土聚合物復合材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1：TCPTU的合成；

S2：Ree-TCPTU的合成，其中Ree-TCPTU為稀土元素與TCPTU的化合物。

9.如權利要求8所述的提高OLED器件外量子效率的稀土聚合物復合材料的制備方法，其特征在于，步驟S1具體包括：

S11、將4.85–5.13克TMTEA、140-260毫升THF、0.07-0.13克DBTL混合，在惰性氣體保護下升溫至35-55℃；

S12、將5.82-6.18克IPTEOS溶于14-26毫升THF，在一小時中均勻滴入步驟S11所得混合物中，再反應0.9-1.2小時；

S13、在S12所得產(chǎn)物中加入6.09-11.3克TDI和3.5-6.5毫升THF，在40-60℃下反應3.9-4.1小時；

S14、在S13所得產(chǎn)物中加入2.73-5.07克MES，在50-70℃下反應3.9-4.1小時；

S15、在S14所得產(chǎn)物中加入正己烷，得到沉淀物即為TCPTU。

10.如權利要求8所述的提高OLED器件外量子效率的稀土聚合物復合材料的制備方法，其特征在于，步驟S1具體包括：

S11、將5克TMTEA、200毫升THF、0.1克DBTL混合，在惰性氣體保護下升溫至45℃；

S12、將6克IPTEOS溶于20毫升THF，在一小時中均勻滴入步驟S11所得混合物中，再反應2小時；

S13、在S12所得產(chǎn)物中加入8.7克TDI和5毫升THF，在50℃下反應4小時；

S14、在S13所得產(chǎn)物中加入3.9克MES，在60℃下反應4小時；

S15、在S14所得產(chǎn)物中加入正己烷，得到沉淀物即為TCPTU。

11.如權利要求8所述的提高OLED器件外量子效率的稀土聚合物復合材料的制備方法，其特征在于，步驟S2具體為：

將TCPTU溶于有機溶劑中形成均勻的溶液，加入氧化鑭，反應形成凝膠，經(jīng)干燥和燒結固化制備得到La-TCPTU；其中La-TCPTU為氧化鑭與TCPTU的化合物。

12.如權利要求11所述的提高OLED器件外量子效率的稀土聚合物復合材料的制備方法，其特征在于：產(chǎn)物La-TCPTU的折射率為2.5-3.0，La-TCPTU的折射率與反應物氧化鑭的用量成正比，反應物中氧化鑭的用量根據(jù)產(chǎn)物所需的折射率確定。

13.一種薄膜，其特征在于：其成分是如權利要求1-4中任一項所述的提高OLED器件外量子效率的稀土聚合物復合材料。