[發(fā)明專利]一種離心鑄造顆粒增強(qiáng)剎車盤的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310388324.2
• 申請(qǐng)日: 2013-08-30
• 公開（公告）號(hào): CN103418768A
• 公開（公告）日: 2013-12-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 翟彥博;劉軍;馬秀騰;陳紅兵;代榮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 西南大學(xué)
• 主分類號(hào): B22D13/00
• 分類號(hào): B22D13/00;C22C32/00;C22C21/00;C22C1/10;F16D65/12;F16D69/02
• 代理公司: 北京同恒源知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11275
• 代理人: 趙榮之

1.一種離心鑄造顆粒增強(qiáng)剎車盤的方法，其特征在于：包括以下步驟：

（1）、制備熔漿：以Al-Si合金和SiC顆粒為原料采用攪拌法制備復(fù)合熔漿，經(jīng)過精煉、變質(zhì)處理后保溫待用；

（2）、預(yù)熱鑄型：澆注前在200-350℃預(yù)熱鑄型；

（3）、澆注充型：將步驟（1）制備的熔漿澆注到步驟（2）預(yù)熱的鑄型中，澆注時(shí)離心轉(zhuǎn)速逐漸增加；

（4）、離心成型：本步驟在外加磁場(chǎng)中進(jìn)行，熔漿在磁場(chǎng)和離心力的共同用下凝固成型，步驟（3）澆注充型結(jié)束時(shí)開啟外加磁場(chǎng)，該外加磁場(chǎng)的強(qiáng)度為0.01～0.8T，方向與離心鑄型軸線方向垂直或者平行；

（5）、脫模冷卻：取出步驟（4）所得產(chǎn)品空冷冷卻即得剎車盤毛坯；

（6）、機(jī)械加工：取步驟（5）所得毛坯，去除夾渣區(qū)即得成品。

2.如權(quán)利要求1所述離心鑄造顆粒增強(qiáng)剎車盤的方法，其特征在于：所述預(yù)熱鑄型步驟中的鑄型由不導(dǎo)磁材料制成。

3.如權(quán)利要求1所述離心鑄造顆粒增強(qiáng)剎車盤的方法，其特征在于：所述澆注充型步驟中熔漿澆注溫度為680—780℃。

4.如權(quán)利要求1所述離心鑄造顆粒增強(qiáng)剎車盤的方法，其特征在于：所述離心成型步驟中離心轉(zhuǎn)速為800～3000r/min。

5.如權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述離心鑄造顆粒增強(qiáng)剎車盤的方法，其特征在于：所述外加顆粒體積分?jǐn)?shù)為復(fù)合熔漿的10-20%。

6.如權(quán)利要求1-4任意一項(xiàng)所述離心鑄造顆粒增強(qiáng)剎車盤的方法，其特征在于：所述SiC顆粒粒徑為10-80μm。