[發明專利]光控晶閘管內置過壓保護的檢測方法及狀態信號的生成裝置

有效

• 申請號: 201310387099.0
• 申請日: 2013-08-30
• 公開（公告）號: CN103457590A
• 公開（公告）日: 2013-12-18
• 發明（設計）人: 楊磊;曹洋;譚勝武;徐振;初蕊;呂順凱;王桂華;周方圓;彭勃;梁文超
• 申請（專利權）人: 株洲變流技術國家工程研究中心有限公司
• 主分類號: H03K17/78
• 分類號: H03K17/78;H03K17/08
• 代理公司: 湖南兆弘專利事務所 43008
• 代理人: 趙洪;周長清

1.一種光控晶閘管內置過壓保護的檢測方法，其特征在于，步驟為：

（1）當光控晶閘管承受正向電壓時，對晶閘管的電壓狀態進行采集并將電壓穩定在晶閘管的標稱穩壓值內，對該電壓狀態信號進行整形后得到晶閘管的狀態信號，轉化為光信號后發送至控制系統；當光控晶閘管承受反向電壓時，不進行操作；

（2）控制系統接收晶閘管的狀態信號，將晶閘管的狀態信號與控制系統的觸發控制信號進行相與，得到相與后信號；在控制系統的觸發信號的每個上升沿時刻生成一個檢測脈沖，在檢測脈沖的控制下由相與后信號生成過壓檢測結果；

（3）在每個工頻周期時刻之后至下個檢測脈沖到來之前讀取過壓檢測結果，若為高電平時，判斷過壓保護已經動作；若為低電平時，判斷過壓保護尚未動作。

2.根據權利要求1所述的光控晶閘管內置過壓保護的檢測方法，其特征在于，所述步驟（2）中生成過壓檢測結果的方法為：輸入相與后信號，在檢測脈沖到來時刻，過壓檢測結果取相與后信號電壓并保持不變直到下個檢測脈沖到來。

3.一種采用上述權利要求1或2所述檢測方法的狀態信號的生成裝置，其特征在于：包括位于每個晶閘管級中光控晶閘管兩端的第一檢測電路、第二檢測電路；所述第一檢測電路一端與SVC晶閘管級中反并聯的兩個光控晶閘管的一端連接，另一端通過SVC晶閘管級中的靜態均壓電阻R2與所述第二檢測電路連接；所述第二檢測電路的另一端與SVC晶閘管級中反并聯的兩個光控晶閘管另一端相連；所述第一檢測電路檢測、第二檢測電路分別檢測兩個反并聯光控晶閘管中對應光控晶閘管的電壓狀態，輸出晶閘管狀態信號；

所述第一檢測電路包括第一穩壓管V1、第一分壓電阻R3、第一施密特觸發電路及第一光纖發射回路；所述第一穩壓管V1與所述第一分壓電阻R3并聯；所述第一施密特觸發電路的一端連接第一穩壓管V1，另一端連接第一光纖發射回路；所述第一光纖發射回路另一端連接電源；

所述第二檢測電路包括第二穩壓管V3、第二分壓電阻R6、第二施密特觸發電路及第二光纖發射回路；所述第二穩壓管V3與所述第二分壓電阻R6并聯；所述第二施密特觸發電路的一端連接第二穩壓管V3，另一端連接第二光纖發射回路；所述第二光纖發射回路另一端連接電源；所述第一穩壓管V1與所述第二穩壓管V3方向相反。

4.根據權利要求3所述的狀態信號的生成裝置，其特征在于：所述第一施密特觸發電路包括第一電阻R4、第一電容C4及第一非門S1、第二非門S2；所述第一非門S1與第二非門S2串聯，所述第一非門S1與第二非門S2的串聯分別與第一電阻R4、第一電容C4并聯。

5.根據權利要求4所述的狀態信號的生成裝置，其特征在于：所述第一光纖發射回路包括依次串聯的第一三極管V2、第一光纖發射器T1及第三電阻R5。

6.根據權利要求3所述的狀態信號的生成裝置，其特征在于：所述第二施密特觸發電路包括第二電阻R7、第二電容C6及第三非門S3、第四非門S4；所述第三非門S3與第四非門S4串聯，所述第一非門S1與第二非門S2的串聯分別與第二電阻R7、第二電容C6并聯。

7.根據權利要求6所述的狀態信號的生成裝置，其特征在于：所述第二光纖發射回路包括依次串聯的第二三極管V4、第二光纖發射器T2及第四電阻R8。