[發明專利]半導體裝置

無效

• 申請號: 201310386727.3
• 申請日: 2013-08-30
• 公開（公告）號: CN103681786A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 小倉常雄;末代知子;押野雄一;池田佳子;中村和敏;下條亮平
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/36
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 陳萍

1.一種半導體裝置，具備：

第1電極；

第2電極；

第1導電型的第1半導體層，設置于所述第1電極與所述第2電極之間，與所述第1電極接觸；

第1導電型的第2半導體層，包括設置于所述第1半導體層與所述第2電極之間的第1部分和設置于所述第1電極與所述第2電極之間并與所述第1電極進行肖特基接觸的第2部分，所述第2半導體層的有效雜質濃度比所述第1半導體層的有效雜質濃度低；

第1導電型的第3半導體層，設置于所述第2半導體層與所述第2電極之間，所述第3半導體層的有效雜質濃度比所述第2半導體層的有效雜質濃度低；以及

第2導電型的第4半導體層，設置于所述第3半導體層與所述第2電極之間，與所述第2電極接觸。

2.一種半導體裝置，具備：

第1電極；

第2電極；

第1導電型的第1半導體層，設置于所述第1電極與所述第2電極之間，與所述第1電極接觸；

第1導電型的第2半導體層，包括設置于所述第1半導體層與所述第2電極之間的第1部分和設置于所述第1電極與所述第2電極之間并與所述第1電極接觸的第2部分，所述第2半導體層的有效雜質濃度比所述第1半導體層的有效雜質濃度低；

第1導電型的第3半導體層，設置于所述第2半導體層與所述第2電極之間，所述第3半導體層的有效雜質濃度比所述第2半導體層的有效雜質濃度低；以及

第2導電型的第4半導體層，設置于所述第3半導體層與所述第2電極之間，與所述第2電極接觸，

從所述第1電極朝向所述第2電極的方向上的、所述第2半導體層的雜質濃度分布的峰值位于所述第1半導體層與所述第3半導體層之間。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，

還具備第2導電型的第5半導體層，所述第5半導體層包括與所述第4半導體層接觸的第3部分和設置于所述第3半導體層與所述第2電極之間并與所述第2電極接觸的第4部分，所述第5半導體層的有效表面的雜質濃度比所述第4半導體層的有效表面的雜質濃度低。

4.根據權利要求2所述的半導體裝置，

還具備與所述第1電極接觸的第2導電型的第6半導體層，

所述第2半導體層與所述第1電極、所述第6半導體層、以及所述第1半導體層相接。

5.根據權利要求2所述的半導體裝置，

從所述第1電極上的與所述第1半導體層接觸的第1區域的重心到所述第1區域的端緣的距離，比從所述第2電極上的與所述第4半導體層接觸的第2區域的重心到所述第2區域的端緣的距離長。

6.根據權利要求3所述的半導體裝置，

多個所述第1半導體層和多個所述第4半導體層設置于所述第1電極與所述第2電極之間。

7.一種半導體裝置，具備：

第1電極；

第2電極；

第1導電型的第1半導體層，設置于所述第1電極與所述第2電極之間，與所述第1電極接觸；

第1導電型的第2半導體層，包括設置于所述第1半導體層與所述第2電極之間的第1部分和設置于所述第1電極與所述第2電極之間并與所述第1電極接觸的第2部分，所述第2半導體層的有效雜質濃度比所述第1半導體層的有效雜質濃度低；

第1導電型的第3半導體層，設置于所述第2半導體層與所述第2電極之間，所述第3半導體層的有效雜質濃度比所述第2半導體層的有效雜質濃度低；

第2導電型的第4半導體層，設置于所述第3半導體層與所述第2電極之間，與所述第2電極接觸；以及

第2導電型的第5半導體層，包括設置于所述第4半導體層與所述第3半導體層之間的第3部分和設置于所述第3半導體層與所述第2電極之間并與所述第2電極接觸的第4部分，所述第5半導體層的有效雜質濃度比所述第4半導體層的有效雜質濃度低，

從所述第1電極上的與所述第1半導體層接觸的第1區域的重心到所述第1區域的端緣的距離，比從所述第2電極上的與所述第4半導體層接觸的第2區域的重心到所述第2區域的端緣的距離長。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，

所述第1電極上的與所述第1半導體層接觸的第1區域沿著一方向延伸，

所述第2電極上的與所述第4半導體層接觸的第2區域沿著所述一方向或與所述一方向交叉的另一方向的任意一方延伸，

所述第1區域的寬度比所述第2區域的寬度大。