[發(fā)明專利]有機電致發(fā)光器件及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310386334.2
• 申請日: 2013-08-29
• 公開（公告）號: CN104425756A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發(fā)明（設計）人: 周明杰;鐘鐵濤;王平;陳吉星
• 申請（專利權）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 生啟;何平

1.一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、發(fā)光層及陰極，其特征在于：所述有機電致發(fā)光器件還包括封裝蓋，所述封裝蓋將所述發(fā)光層及陰極封裝于所述陽極上，所述封裝蓋包括形成于所述陰極表面的第一氮氧化硅層、形成于所述第一氮氧化硅層表面的第一無機阻擋層、形成于所述第一無機阻擋層表面的第二氮氧化硅層及形成于所述第二氮氧化硅層表面的第二無機阻擋層；所述第一無機阻擋層的材料的包括碲化物及金屬，所述第二無機層的材料包括硒化物及金屬；所述碲化物選自三碲化銻、碲化鉍、碲化鎘、三碲化二銦、碲化錫及碲化鉛中的至少一種，所述金屬選自銀、鋁、鎳、金、銅及鉑中的至少一種，所述硒化物選自硒化銻、硒化鉬、硒化鉍、二硒化鈮、二硒化鉭及硒化亞銅中的至少一種。

2.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一氮氧化硅層的厚度為150nm～200nm；所述第一無機阻擋層的厚度為100nm～200nm；所述第二氮氧化硅層的厚度為150nm～200nm；所述第二無機阻擋層的厚度為100nm～200nm。

3.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一無機阻擋層中所述碲化物的質量百分含量為10%～30%，其余為所述金屬。

4.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二無機阻擋層中所述硒化物的質量百分含量為10%～30%，其余為所述金屬。

5.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述封裝蓋與所述陽極配合形成有收容腔，所述發(fā)光層及陰極均收容于所述收容腔。

6.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在陽極表面制備發(fā)光層；

在所述發(fā)光層表面制備陰極；及

在所述陰極表面制備封裝蓋，所述封裝蓋將所述發(fā)光層及陰極封裝于所述陽極上，所述封裝蓋包括形成于所述陰極表面的第一氮氧化硅層、形成于所述第一氮氧化硅層表面的第一無機阻擋層、形成于所述第一無機阻擋層表面的第二氮氧化硅層及形成于所述第二氮氧化硅層表面的第二無機阻擋層，所述第一無機阻擋層的材料的包括碲化物及金屬，所述第二無機層的材料包括硒化物及金屬，所述碲化物選自三碲化銻、碲化鉍、碲化鎘、三碲化二銦、碲化錫及碲化鉛中的至少一種，所述金屬選自銀、鋁、鎳、金、銅及鉑中的至少一種，所述硒化物選自硒化銻、硒化鉬、硒化鉍、二硒化鈮、二硒化鉭及硒化亞銅中的至少一種。

7.根據(jù)權利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第一氮氧化硅層的厚度為150nm～200nm；所述第一無機阻擋層的厚度為100nm～200nm；所述第二氮氧化硅層的厚度為150nm～200nm；所述第二無機阻擋層的厚度為100nm～200nm。

8.根據(jù)權利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第一無機阻擋層中所述碲化物的質量百分含量為10%～30%，其余為所述金屬。

9.根據(jù)權利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述第二無機阻擋層中所述硒化物的質量百分含量為10%～30%，其余為所述金屬。

10.根據(jù)權利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于：所述第一氮氧化硅層及所述第二氮氧化硅層均采用等離子體增強化學氣相沉積法制備，原料氣體為六甲基二硅胺、氨氣及氧氣，載氣為氬氣，其中所述六甲基二硅胺、氨氣及氧氣的流量比為（6～14）：（2～18）：（2～18），溫度為40～60℃，氣壓為30～60Pa，功率為0.1～0.5W/cm²。