[發(fā)明專利]有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310386257.0
• 申請日: 2013-08-29
• 公開（公告）號: CN104425755A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;鐘鐵濤;王平;陳吉星
• 申請（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號: H01L51/52
• 分類號: H01L51/52;H01L51/56
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 生啟;何平

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

背景技術(shù)

有機(jī)電致發(fā)光器件（OLED）是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在ITO玻璃上制備一層幾十納米厚的有機(jī)發(fā)光材料作發(fā)光層，發(fā)光層上方有一層低功函數(shù)的金屬電極。當(dāng)電極上加有電壓時，發(fā)光層就產(chǎn)生光輻射。

有機(jī)電致發(fā)光器件受到濕氣和潮氣侵蝕后，會引起有機(jī)電致發(fā)光器件內(nèi)部元件的材料發(fā)生老化進(jìn)而失效，從而所述有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命較短。

發(fā)明內(nèi)容

基于此，有必要提供一種壽命較長的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、發(fā)光層及陰極，其特征在于：所述有機(jī)電致發(fā)光器件還包括封裝蓋，所述封裝蓋將所述發(fā)光層及陰極封裝于所述陽極上，所述封裝蓋包括形成于所述陰極表面的第一氮氧化硅層、形成于所述第一氮氧化硅層表面的第一無機(jī)阻擋層、形成于所述第一無機(jī)阻擋層表面的第二氮氧化硅層及形成于所述第二氮氧化硅層表面的第二無機(jī)阻擋層；所述第一無機(jī)阻擋層的材料的包括碲化物、氮化物及金屬合金，所述第二無機(jī)層的材料包括金屬氧化物、氮化物及金屬合金；所述碲化物選自三碲化銻、碲化鉍、碲化鎘、三碲化二銦、碲化錫及碲化鉛中的至少一種，所述氮化物選自四氮化三硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭及氮化鈦中的至少一種，所述金屬合金選自鋁銀合金、鈷鐵合金、鋁鉻合金、金鍺合金、鎳鈦合金及金鋅合金中的至少一種，所述金屬氧化物選自偏鋁酸鎂、鈦酸鉍、鉻酸鎳、鉻酸鈷、镥酸鐵及鋁酸釔中的至少一種。

在其中一個實(shí)施例中，所述第一氮氧化硅層的厚度為150nm～200nm；所述第一無機(jī)阻擋層的厚度為100nm～200nm；所述第二氮氧化硅層的厚度為150nm～200nm；所述第二無機(jī)阻擋層的厚度為100nm～200nm。

在其中一個實(shí)施例中，所述第一無機(jī)阻擋層中所述氮化物的質(zhì)量百分含量為10%～40%，所述金屬合金的質(zhì)量百分含量為10%～30%，其余為所述碲化物。

在其中一個實(shí)施例中，所述第二無機(jī)阻擋層中所述氮化物的質(zhì)量百分含量為10%～40%，所述金屬合金的質(zhì)量百分含量為10%～30%，其余為所述金屬氧化物。

在其中一個實(shí)施例中，所述封裝蓋與所述陽極配合形成有收容腔，所述發(fā)光層及陰極均收容于所述收容腔。

一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：

在陽極表面制備發(fā)光層；

在所述發(fā)光層表面制備陰極；及

在所述陰極表面制備封裝蓋，所述封裝蓋將所述發(fā)光層及陰極封裝于所述陽極上，所述封裝蓋包括形成于所述陰極表面的第一氮氧化硅層、形成于所述第一氮氧化硅層表面的第一無機(jī)阻擋層、形成于所述第一無機(jī)阻擋層表面的第二氮氧化硅層及形成于所述第二氮氧化硅層表面的第二無機(jī)阻擋層，所述第一無機(jī)阻擋層的材料的包括碲化物、氮化物及金屬合金，所述第二無機(jī)層的材料包括金屬氧化物、氮化物及金屬合金，所述碲化物選自三碲化銻、碲化鉍、碲化鎘、三碲化二銦、碲化錫及碲化鉛中的至少一種，所述氮化物選自四氮化三硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭及氮化鈦中的至少一種，所述金屬合金選自鋁銀合金、鈷鐵合金、鋁鉻合金、金鍺合金、鎳鈦合金及金鋅合金中的至少一種，所述金屬氧化物選自偏鋁酸鎂、鈦酸鉍、鉻酸鎳、鉻酸鈷、镥酸鐵及鋁酸釔中的至少一種。

在其中一個實(shí)施例中，所述第一氮氧化硅層的厚度為150nm～200nm；所述第一無機(jī)阻擋層的厚度為100nm～200nm；所述第二氮氧化硅層的厚度為150nm～200nm；所述第二無機(jī)阻擋層的厚度為100nm～200nm。

在其中一個實(shí)施例中，所述第一無機(jī)阻擋層中所述氮化物的質(zhì)量百分含量為10%～40%，所述金屬合金的質(zhì)量百分含量為10%～30%，其余為所述碲化物。

在其中一個實(shí)施例中，所述第二無機(jī)阻擋層中所述氮化物的質(zhì)量百分含量為10%～40%，所述金屬合金的質(zhì)量百分含量為10%～30%，其余為所述金屬氧化物。

在其中一個實(shí)施例中，所述第一氮氧化硅層及所述第二氮氧化硅層均采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備，原料氣體為六甲基二硅胺、氨氣及氧氣，載氣為氬氣，其中所述六甲基二硅胺、氨氣及氧氣的流量比為（6～14）：（2～18）：（2～18），溫度為40～60℃，氣壓為30～60Pa，功率為0.1～0.5W/cm²。