[發(fā)明專利]一種LED管芯片電極的制作方法、LED管芯片及LED管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310386066.4
• 申請日: 2013-08-29
• 公開（公告）號: CN103441193A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉晶;葉國光
• 申請（專利權(quán)）人: 劉晶
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/14;H01L33/40
• 代理公司: 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標事務(wù)所(普通合伙) 44288
• 代理人: 湯喜友

1.一種LED管芯片電極的制造方法，包括在襯底上依次生長出N型半導(dǎo)體層，發(fā)光層和P型半導(dǎo)體層，其特征在于：

1）在所述P型半導(dǎo)體層上需要制作P型電極的區(qū)域鍍上與P型半導(dǎo)體層非奧姆接觸的第一電極接觸層；

2）在所述第一電極接觸層上鍍上電流阻擋層；

3）在所述P型半導(dǎo)體層上，未被上述第一電極接觸層和電流阻擋層覆蓋的區(qū)域鍍上電流擴散層；

4）在所述電流阻擋層上鍍上與電流擴散層歐姆接觸的第二電極接觸層；

5）在所述第二電極接觸層上鍍上第三電極接觸層；

6）在所述第三電極接觸層上采用化學(xué)方法鍍上材料為金的電極焊線層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED管芯片電極的制造方法，其特征在于：所述第一電極接觸層的材料為：Ti或Cr或Al或Ag或Pt，所述電流阻擋層的材料為：TiO2或Al2O3或SiO2或Si3N4或ZnO。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED管芯片電極的制造方法，其特征在于：所述第二電極接觸層的材料為：Ti或Ni，所述第三電極接觸層的材料為Au或Pt或Cr或Wu或Pd。

4.一種LED管芯片，包括襯底，和依次覆蓋在襯底上的N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、P型半導(dǎo)體層和設(shè)置于P型半導(dǎo)體層上的P型電極，其特征在于：所述P型電極包括有第一電極接觸層，所述第一接觸層上設(shè)置有電流阻擋層，所述P型半導(dǎo)體層上除電流阻擋層覆蓋的區(qū)域以外設(shè)置有電流擴散層，所述電流阻擋層上設(shè)置有第二電極接觸層，所述第二電極接觸層上設(shè)置有第三電極接觸層，所述第二電極接觸層和第三電極接觸層與電流擴散層歐姆接觸，所述第三電極接觸層上設(shè)置有材料為金的電極焊線層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種LED管芯片,其特征在于：所述第一電極接觸層的材料為：Ti或Cr或Al或Ag或Pt，所述電流阻擋層的材料為：TiO2或Al2O3或SiO2或Si3N4或ZnO。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種LED管芯片,其特征在于：所述第二電極接觸層的材料為：Ti或Ni，所述第三電極接觸層的材料為Au或Pt或Cr或Wu或Pd。

7.一種LED管，包括支架、安裝于支架上芯片、電連接芯片與支架的焊線和焊點、覆蓋所述支架和芯片的封裝膠體，將芯片固定在支架14上的導(dǎo)電膠141，所述芯片包括襯底，和依次覆蓋在襯底上的N型半導(dǎo)體層、發(fā)光層、P型半導(dǎo)體層和設(shè)置于P型半導(dǎo)體層上的P型電極，其特征在于：所述P型電極包括有第一電極接觸層，所述第一接觸層上設(shè)置有電流阻擋層，所述P型半導(dǎo)體層上除電流阻擋層覆蓋的區(qū)域以外設(shè)置有電流擴散層，所述電流阻擋層上設(shè)置有第二電極接觸層，所述第二電極接觸層上設(shè)置有第三電極接觸層，所述第二電極接觸層和第三電極接觸層與電流擴散層歐姆接觸，所述第三電極接觸層上設(shè)置有材料為金的電極焊線層，所述焊線和焊點材料為：Au、Al、Ag、Pd、Cu或前述兩種以上的合金材料的組合合金。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種LED管,其特征在于：所述第一電極接觸層的材料為：Ti或Cr或Al或Ag或Pt，所述電流阻擋層的材料為：TiO2或Al2O3或SiO2或Si3N4或ZnO。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種LED管,其特征在于：所述第二電極接觸層的材料為：Ti或Ni，所述第三電極接觸層的材料為Au或Pt或Cr或Wu或Pd。