[發明專利]太陽能電池鈍化膜的制作方法及太陽能電池的制作方法在審
| 申請號: | 201310385985.X | 申請日: | 2013-08-29 |
| 公開(公告)號: | CN103456838A | 公開(公告)日: | 2013-12-18 |
| 發明(設計)人: | 梁杭偉;吳含封;葉雄新;孫小菩;彭華 | 申請(專利權)人: | 東莞南玻光伏科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 鄧云鵬 |
| 地址: | 523141 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 鈍化 制作方法 | ||
1.一種太陽能電池鈍化膜的制作方法,其特征在于,包括如下步驟:
在460℃~480℃、含有硅烷與氨氣的混合氣體氛圍中,使用等離子體增強化學氣相沉積法在硅基材表面形成氮化硅鈍化膜;
沉積反應結束后,立即通入氮氣并使氮氣充滿整個反應環境,并保持氮氣壓強不小于室壓,在460℃~480℃恒溫熱處理5~10分鐘。
2.如權利要求1所述的太陽能電池鈍化膜的制作方法,其特征在于,形成氮化硅鈍化膜過程中,射頻功率為5~6.5KW。
3.如權利要求1所述的太陽能電池鈍化膜的制作方法,其特征在于,所述混合氣體氛圍中硅烷與氨氣的體積比為1:3.5~4.5。
4.如權利要求1所述的太陽能電池鈍化膜的制作方法,其特征在于,所述反應環境內氮氣的壓強為10000mTorr。
5.一種太陽能電池的制作方法,其特征在于,包括如下步驟:
將經過背腐蝕處理的硅基材置于石墨舟中,在460℃~480℃、含有硅烷與氨氣的混合氣體氛圍中,使用等離子體增強化學氣相沉積法在硅基材表面形成氮化硅鈍化膜;
沉積反應結束后,立即通入氮氣并使氮氣充滿整個反應環境,并保持氮氣壓力不小于室壓,在460℃~480℃恒溫熱處理5~10分鐘;
將沉積有鈍化膜的硅基材依次經絲網印刷、燒結工藝制備出太陽能電池片,并組裝成所述太陽能電池。
6.如權利要求1所述的太陽能電池的制作方法,其特征在于,形成氮化硅鈍化膜過程中,射頻功率為5~6.5KW。
7.如權利要求1所述的太陽能電池的制作方法,其特征在于,所述混合氣體氛圍中硅烷與氨氣的體積比為1:3.5~4.5。
8.如權利要求1所述的太陽能電池的制作方法,其特征在于,所述反應環境內氮氣的壓強為10000mTorr。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





