[發(fā)明專利]一種磁傳感裝置及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310385978.X
• 申請日: 2013-08-29
• 公開（公告）號: CN104422907B
• 公開（公告）日: 2017-09-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊鶴俊
• 申請（專利權(quán)）人: 上海矽睿科技有限公司
• 主分類號: G01R33/09
• 分類號: G01R33/09;H01L43/08;H01L43/12
• 代理公司: 上海金盛協(xié)力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司31242
• 代理人: 王松

1.一種磁傳感裝置的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括如下步驟：

步驟S1、在基底表面上形成溝槽；

步驟S2、在所述設(shè)有溝槽的基底上沉積磁材料，形成磁材料層，磁材料層的一部分位于基底上表面，另一部分位于溝槽內(nèi)；

步驟S3、在所述磁材料層上沉積第一介質(zhì)材料，形成第一介質(zhì)材料層，所述第一介質(zhì)材料把溝槽填實(shí)；

步驟S4、在第一介質(zhì)材料層上沉積金屬，形成金屬層；

步驟S5、刻蝕金屬層和磁材料層，形成AMR圖形；

步驟S6、沉積第二介質(zhì)材料，形成第二介質(zhì)材料層；

步驟S7、直接刻蝕第二介質(zhì)材料層，保留磁材料層、金屬層兩側(cè)的第二介質(zhì)層材料，形成磁材料層、金屬層的側(cè)壁保護(hù)層；

步驟S8、通過光刻工藝刻蝕金屬層，形成第一層金屬層的圖形；此時(shí)，金屬層以及磁材料層的一部分區(qū)域形成感應(yīng)單元，磁材料層的另外一部分區(qū)域形成導(dǎo)磁單元；

導(dǎo)磁單元的主體部分設(shè)置于溝槽內(nèi)，并有部分露出溝槽至基底表面，用以感應(yīng)第三方向的磁信號，并將該磁信號輸出到感應(yīng)單元進(jìn)行測量；感應(yīng)單元設(shè)置于基底上，用以測量第一方向或/和第二方向的磁場，結(jié)合導(dǎo)磁單元輸出的磁信號，能測量被導(dǎo)磁單元引導(dǎo)到第一方向或/和第二方向測量的第三方向磁場；第一方向、第二方向、第三方向兩兩相互垂直；

步驟S9、制造通孔和電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感裝置的制備方法，其特征在于：

所述方法在步驟S3與步驟S4之間還包括步驟S3’、在所述形成溝槽陣列的第一介質(zhì)層上沉積與所述第一介質(zhì)材料相同或者不同的第三介質(zhì)材料，形成第三介質(zhì)層；

所述步驟S4則為在第三介質(zhì)材料層上沉積金屬，形成金屬層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感裝置的制備方法，其特征在于：

所述第一介質(zhì)材料層是導(dǎo)電材料；所述金屬層包括三層，分別為TiN層、Al層、TiN層；所述第二介質(zhì)材料層是絕緣材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感裝置的制備方法，其特征在于：

所述基底為介質(zhì)材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁傳感裝置的制備方法，其特征在于：

步驟S2中，溝槽的寬度為100～1000納米。