[發明專利]參考單元的擦除方法在審
| 申請號： | 201310385765.7 | 申請日： | 2013-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN103456362A | 公開（公告）日： | 2013-12-18 |
| 發明（設計）人： | 顧靖;張若成 | 申請（專利權）人： | 上海宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | G11C16/14 | 分類號： | G11C16/14;G11C16/06 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 參考 單元 擦除 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種參考單元的擦除方法，用于EEPROM存儲單元，所述EEPROM存儲單元包括結構相同的存儲單元和參考單元，所述EEPROM存儲單元接收一編程命令后，對所述存儲單元進行編程操作，不對所述參考單元進行任何操作，其特征在于，所述EEPROM存儲單元接收一擦除命令后，對所述參考單元先后進行編程操作和擦除操作，對所述存儲單元進行擦除操作。
2.根據權利要求1所述的參考單元的擦除方法，其特征在于，所述參考單元進行操作后存儲的電流隨所述存儲單元進行操作后存儲的電流同比例降低而減少。
3.根據權利要求2所述的參考單元的擦除方法，其特征在于，所述EEPROM存儲單元接收一讀取命令后執行讀取操作，以將所述存儲單元存儲的電流與所述參考單元存儲的百分比電流進行比較，所述百分比為定值，
當所述存儲單元中存儲的電流大于所述參考單元中存儲的百分比電流時，輸出結果為1；
當所述存儲單元中存儲的電流小于所述參考單元中存儲的百分比電流時，輸出結果為0。
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