[發明專利]半導體裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 201310385095.9
• 申請日: 2013-08-29
• 公開（公告）號: CN103681495A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 長澤薰
• 申請（專利權）人: 豐田自動車株式會社
• 主分類號: H01L21/822
• 分類號: H01L21/822;H01L27/04
• 代理公司: 北京金信立方知識產權代理有限公司 11225
• 代理人: 黃威;李靜

1.一種半導體裝置，其特征在于包括：

半導體襯底（12）；

絕緣膜（58），其布置在所述半導體襯底（12）的上方；

第一鈍化膜（76），其布置在所述絕緣膜（58）的上方；

第二鈍化膜（70），其布置在所述第一鈍化膜（76）的上方；

應力緩和層（72），其布置在所述第二鈍化膜（70）的上方；

有機涂布層（80），其布置在所述應力緩和層（72）的上方；以及

樹脂層（82），其布置在所述有機涂布層（80）的上方，其中

所述應力緩和層（72）的楊氏模量小于所述有機涂布層（80）的楊氏模量，并且小于所述第二鈍化膜（70）的楊氏模量。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中

所述有機涂布層（80）和所述樹脂層（82）之間的附著性大于所述第二鈍化膜（70）和所述樹脂層（82）之間的附著性。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其中

所述第一鈍化膜（76）為半導電的。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體裝置，進一步包括周邊耐壓區域，其中

所述第一鈍化膜（76）位于所述周邊耐壓區域中。

5.根據權利要求1到4中任一項所述的半導體裝置，其中

所述有機涂布層（80）含有聚酰胺。

6.根據權利要求1到5中任一項所述的半導體裝置，其中

所述第二鈍化膜（70）含有聚酰亞胺。

7.根據權利要求1到6中任一項所述的半導體裝置，進一步包括金屬層（54），所述金屬層（54）布置在所述絕緣膜（58）的上面，其中

所述第一鈍化膜（76）布置為從所述絕緣膜（58）到所述金屬層（54），并且所述第一鈍化膜（76）與所述絕緣膜（58）的表面和所述金屬層的表面接觸，

從上方看時，所述半導體襯底（12）為矩形，

所述第一鈍化膜（76）由氮化物膜形成，

所述第二鈍化膜（70）由聚酰亞胺形成，

所述有機涂布層（80）由聚酰胺形成，并且

成立關系式：

Ek<1.041×t22Lt12-3.42(GPa)]]>

其中，假設E_k表示所述應力緩和層（72）的楊氏模量，L表示所述半導體襯底（12）的長邊的長度，t1表示所述金屬層（54）的厚度，并且t2表示所述第一鈍化膜（76）的厚度。

8.一種制造半導體的方法，其特征在于包括：

絕緣膜形成工序，其用于在半導體襯底（12）的上方形成絕緣膜（58）；

第一鈍化膜形成工序，其用于在所述絕緣膜（58）的上方形成第一鈍化膜（76）；

第二鈍化膜形成工序，其用于在所述第一鈍化膜（76）的上方形成第二鈍化膜（70）；

應力緩和層形成工序，其用于在所述第二鈍化膜（70）的上方形成應力緩和層（72）；

有機涂布膜形成工序，其用于在所述應力緩和層（72）的上方形成有機涂布層（80）；以及

樹脂層形成工序，其用于在所述有機涂布層（80）的上方形成樹脂層（82），其中

在所述應力緩和層形成工序中，所述應力緩和層（72）由具有比所述有機涂布層（80）的楊氏模量和所述第二鈍化膜（70）的楊氏模量更小的楊氏模量的材料形成。