[發明專利]一種超疏液表面的制備方法及超疏液表面

無效

• 申請號: 201310384970.1
• 申請日: 2013-08-29
• 公開（公告）號: CN103466539A
• 公開（公告）日: 2013-12-25
• 發明（設計）人: 吳天準;袁麗芳;張偉基;關釗允;湯子康
• 申請（專利權）人: 中國科學院深圳先進技術研究院
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02;B81C1/00;B81B3/00
• 代理公司: 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 44281
• 代理人: 任葵

1.一種超疏液表面的制備方法，其特征在于，包括：

使用干法刻蝕在硅基板上刻蝕獲得T型微納米結構；

將所述T型微納米結構通過彈性材料轉印至加熱可固化材料；

對加熱可固化材料上的T型微納米結構進行疏水處理，使加熱可固化材料上的T型微納米結構的表面形成疏水薄膜。

2.如權利要求1所述的超疏液表面的制備方法，其特征在于，所述對加熱可固化材料上的T型微納米結構進行疏水處理，使加熱可固化材料上的T型微納米結構的表面形成疏水薄膜，具體包括：

使用化學氣相沉積工藝處理加熱可固化材料上的T型微納米結構的表面，T型微納米結構的各個方向使用等離子狀態下的碳化合物氣源均勻沉積，在T型微納米結構的表面生成具有疏水性的碳氟化合物薄膜；

或者，使用單分子自組裝工藝在T型微納米結構的表面進行化學反應，在T型微納米結構的表面生成具有疏水性的碳氟化合物薄膜。

3.如權利要求1所述的超疏液表面的制備方法，其特征在于，所述將所述T型微納米結構通過彈性材料轉印至加熱可固化材料，具體包括：

將所述T型微納米結構轉印至彈性材料；

再將彈性材料上的T型微納米結構轉印至加熱可固化材料。

4.如權利要求1所述的超疏液表面的制備方法，其特征在于，所述將所述T型微納米結構通過彈性材料轉印至加熱可固化材料之前，還包括：

將硅基板上的T型微納米結構進行疏水處理，使硅基板上的T型微納米結構的表面形成疏水薄膜。

5.如權利要求1所述的超疏液表面的制備方法，其特征在于，所述使用干法刻蝕在硅基板上刻蝕獲得T型微納米結構，具體包括：

將硅基板通過氣相刻蝕工藝或通過深層反應離子刻蝕工藝進行刻蝕，直至獲得T型微納米結構。

6.如權利要求6所述的超疏液表面的制備方法，其特征在于，所述通過深層反應離子刻蝕工藝進行刻蝕，具體包括：

利用分時復用的工藝以C₄F₈和SF₆氣體交替進行等離子沉積和刻蝕，再通過高密度等離子體垂直轟擊硅基板，從而各向異性地刻蝕硅基板。

7.如權利要求1所述的超疏液表面的制備方法，其特征在于，所述通過干法刻蝕在硅基板上刻蝕獲得T型微納米結構之前，還包括：

使用有機溶劑或氫氟酸清洗硅基板；

將清洗后的硅基板在烘箱或者熱臺上烘烤，利用紫外光刻技術將設計圖形轉移到硅基板。

8.如權利要求1所述的超疏液表面的制備方法，其特征在于，所述硅基板為表面具有熱生長的二氧化硅薄膜的硅基板。

9.如權利要求1所述的超疏液表面的制備方法，其特征在于，所述彈性材料包括聚二甲基硅氧烷、三元乙丙橡膠、丁晴橡膠、順丁膠和氯丁膠中的任一種。

10.一種超疏液表面，其特征在于，使用權利要求1至8中任一項所述的超疏液表面的制備方法在加熱可固化材料上刻蝕而成，所述超疏液表面包括基底及設置在所述基底上的多個T型微納米結構，所述T型微納米結構包括柱體和設置在柱體頂部的蓋體，所述柱體在豎直方向上的投影落入所述蓋體在豎直方向上的投影范圍內。