[發明專利]半導體裝置及DC-DC轉換器

無效

• 申請號: 201310384801.8
• 申請日: 2010-09-01
• 公開（公告）號: CN103489854A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 齋藤浩;和田龍;后藤祐一
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H02M3/158
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 楊謙;胡建新

發明為下述申請的分案申請，原申請信息如下：

申請號：201010270751.7

申請日：2010年09月01日

發明名稱：半導體裝置及DC-DC轉換器

本申請基于2009年12月25日提出申請的日本專利申請第2009－295981號并主張其優先權，這里引用其全部內容。

技術領域

本發明涉及半導體裝置及DC-DC轉換器。

背景技術

例如，在包括DC-DC轉換器等的開關元件的切換電路中，要求對于負載變動的高速響應性，切換頻率高頻率化。此外，隨著輸出電流的大電流化，驅動電感器的開關元件的寄生電容增加。

在這樣的切換電路中，在輸出電流或輸出電壓變化的上升及下降的兩邊緣有發生阻尼振蕩的傾向。因而，能夠利用的切換頻率被限制在該阻尼振蕩收斂的時間中，所以受到寄生電容、配線等的寄生電感限制。

一般，配設有這樣的切換電路的半導體芯片裝配安裝在引線框上，不論芯片尺寸如何，該半導體芯片都裝配在引線框的中央。此外，為了減小基板面積，還已知有將多個半導體芯片層疊搭載在基板上的芯片層疊型半導體裝置。在該半導體裝置中，在將第一及第二半導體芯片層疊在基板上的情況下，將第一半導體芯片的虛擬中心軸從基板的中心偏移地配置該第一半導體芯片（例如參照專利文獻1）。

但是，在上述那樣的安裝構造中，很難降低寄生電感，在擴大能夠利用的切換頻率方面存在極限。

[專利文獻1]日本特開2005－26564號公報

發明內容

本發明就是為了解決上述問題而完成的。

本發明的技術方案是一種半導體裝置，其特征在于，具備：裝置主體，具有半導體基板搭載部及設在上述半導體基板搭載部的周圍的第一導電體；以及半導體基板，包括具有檢測電路的DC-DC轉換器控制電路，配設在上述半導體基板搭載部上，以使上述檢測電路接近于上述第一導體側，上述檢測電路檢測經由上述第一導電體流動的電流及施加的電壓中的至少某個。

附圖說明

圖1是例示有關實施方式的半導體裝置的結構的平面示意圖。

圖2是例示包括圖1所示的半導體裝置的DC-DC轉換器的電路圖。

圖3是第一開關元件的電流波形圖，圖3（a）是偏移量為0μm的情況，圖3（b）是偏移量同樣為600μm的情況。

圖4是例示有關實施方式的DC-DC轉換器的電路圖。

圖5是例示有關實施方式的DC-DC轉換器的電路圖。

具體實施方式

根據實施方式，提供一種具備裝置主體和半導體基板的半導體裝置。裝置主體具有半導體基板搭載部及設在上述半導體基板搭載部的周圍的第一導電體。半導體基板包括具有檢測電路的DC-DC轉換器控制電路，配設在上述半導體基板搭載部上，以使上述檢測電路接近于上述第一導體側，上述檢測電路檢測經由上述第一導電體流動的電流及施加的電壓中的至少某個。

以下，參照附圖對實施方式詳細地說明。附圖是示意性的或概念性的，各部分的形狀及縱橫的尺寸關系、部分間的大小的比率等并不一定與現實相同。此外，在表示相同的部分的情況下，也有通過附圖而將相互的尺寸及比率差別表示的情況。另外，在本說明書和各圖中，對于與已出的圖有關的已述要素相同的要素賦予相同的標號而適當省略詳細的說明。

圖1是例示有關實施方式的半導體裝置的結構的平面示意圖。

如圖1所示，半導體裝置1具備半導體基板2、裝置主體3。

在半導體基板2上，設有DC-DC轉換器控制電路30。此外，DC-DC轉換器控制電路30具有檢測電路16。此外，半導體基板2具有四邊。

在半導體基板2上，在第一邊5側設有端子BOOT、電源端子VIN、第一端子LX、以及接地端子GND。在與第一邊5對置的一側設有端子VFB、COMP、EN、SS。電源端子VIN、第一端子LX、接地端子GND連接在檢測電路16上。端子BOOT、VFB、COMP、EN、SS連接在DC-DC轉換器控制電路30上。

裝置主體3具有裝配（搭載）半導體基板2的半導體基板搭載部4、和設在半導體基板搭載部4的周圍的第一導電體K2～K4、第二導電體K1、K5～K8。第一及第二導電體K1～K8具有多個引腳P1～P8、和配線H1、第一配線H2～H4、配線H5～H8。