[發(fā)明專利]用于調(diào)整容性信號(hào)源的靈敏度的系統(tǒng)及方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310384692.X
• 申請(qǐng)日: 2013-08-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103686576B
• 公開(kāi)（公告）日: 2016-10-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 邁克爾·克羅普菲奇;安德烈亞斯·維斯鮑爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H04R27/00
• 分類號(hào): H04R27/00
• 代理公司: 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 余剛;吳孟秋

1.一種用于放大由容性信號(hào)源提供的信號(hào)的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括：

阻抗變換器，具有被配置為耦接至所述容性信號(hào)源的第一端的輸入節(jié)點(diǎn)；以及

可調(diào)容性網(wǎng)絡(luò)，具有被配置為耦接至所述容性信號(hào)源的第二端的第一節(jié)點(diǎn)和耦接至所述阻抗變換器的輸出節(jié)點(diǎn)的第二節(jié)點(diǎn)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中，所述可調(diào)容性網(wǎng)絡(luò)包括：

第一電容器，耦接在所述第一節(jié)點(diǎn)和所述第二節(jié)點(diǎn)之間，以及

第二電容器，耦接在所述第一節(jié)點(diǎn)和參考節(jié)點(diǎn)之間，其中，所述第一電容器和所述第二電容器中的至少一個(gè)電容器包括可調(diào)電容器。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中，所述第二節(jié)點(diǎn)是接地節(jié)點(diǎn)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中，所述可調(diào)電容器包括經(jīng)由對(duì)應(yīng)的多個(gè)開(kāi)關(guān)選擇性地并行耦接的多個(gè)電容器。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的系統(tǒng)，其中，所述多個(gè)電容器中的每一個(gè)包括耦接至所述容性網(wǎng)絡(luò)的所述第一節(jié)點(diǎn)的上極板。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括增益控制電路，被配置為測(cè)量所述阻抗變換器的所述輸出節(jié)點(diǎn)處的信號(hào)的振幅并基于所測(cè)量的振幅調(diào)整所述容性網(wǎng)絡(luò)的電容。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括校準(zhǔn)電路，耦接至所述可調(diào)容性網(wǎng)絡(luò)，其中，所述校準(zhǔn)電路被配置為調(diào)整所述可調(diào)容性網(wǎng)絡(luò)的電容。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中，所述校準(zhǔn)電路進(jìn)一步被配置為：

增加被配置為耦接至所述容性信號(hào)源的偏置電壓直至從所述容性信號(hào)源中檢測(cè)到電壓假信號(hào)以確定第一電壓；

基于所述第一電壓確定最終DC偏置電壓；以及

將所確定的最終DC偏置電壓施加至所述容性信號(hào)源。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中，所述校準(zhǔn)電路包括查找表電路。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，其中，所述校準(zhǔn)電路包括被配置為存儲(chǔ)校準(zhǔn)設(shè)置的存儲(chǔ)單元。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，進(jìn)一步包括所述容性信號(hào)源。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的系統(tǒng)，其中，所述容性信號(hào)源是MEMS擴(kuò)音器。

13.一種集成電路，包括：

電壓緩沖器，具有被配置為耦接至MEMS擴(kuò)音器的第一端的輸入節(jié)點(diǎn)；以及

可調(diào)容性網(wǎng)絡(luò)，具有被配置為耦接至所述MEMS擴(kuò)音器的第二端的第一節(jié)點(diǎn)、耦接至所述電壓緩沖器的輸出節(jié)點(diǎn)的第二節(jié)點(diǎn)、被配置為調(diào)整所述可調(diào)容性網(wǎng)絡(luò)的電容的調(diào)整輸入。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的集成電路，進(jìn)一步包括增益控制電路，具有耦接至所述電壓緩沖器的輸出的輸入節(jié)點(diǎn)，以及耦接至所述可調(diào)容性網(wǎng)絡(luò)的所述調(diào)整輸入的輸出，所述增益控制電路被配置為測(cè)量所述電壓緩沖器的所述輸出處的信號(hào)的振幅并基于所測(cè)量的振幅調(diào)整所述容性網(wǎng)絡(luò)的所述電容。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的集成電路，其中，所述電壓緩沖器包括MOS源極跟隨器。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的集成電路，其中，所述電壓緩沖器包括1以下的電壓增益。

17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的集成電路，其中，所述可調(diào)容性網(wǎng)絡(luò)包括第一電容器陣列，所述第一電容器陣列包括：

多個(gè)第一電容器，具有耦接至所述可調(diào)容性網(wǎng)絡(luò)的所述第一節(jié)點(diǎn)的第一極板，以及

對(duì)應(yīng)的多個(gè)開(kāi)關(guān)，耦接至所述多個(gè)第一電容器的第二極板。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的集成電路，其中，所述多個(gè)第一電容器的所述第一極板包括所述多個(gè)第一電容器的上極板。

19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的集成電路，其中，所述可調(diào)容性網(wǎng)絡(luò)包括：

第一可調(diào)電容器，耦接在所述可調(diào)容性網(wǎng)絡(luò)的所述第一節(jié)點(diǎn)和所述可調(diào)容性網(wǎng)絡(luò)的所述第二節(jié)點(diǎn)之間；以及

第二可調(diào)電容器，耦接在所述可調(diào)容性網(wǎng)絡(luò)的所述第一節(jié)點(diǎn)和參考節(jié)點(diǎn)之間。

20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的集成電路，所述可調(diào)容性網(wǎng)絡(luò)包括多個(gè)電容器，所述多個(gè)電容器的每一個(gè)都具有耦接至所述可調(diào)容性網(wǎng)絡(luò)的所述第一節(jié)點(diǎn)的上極板，以及下極板，其中，所述多個(gè)電容器中的每一個(gè)的所述下極板被配置為可切換地耦接至參考節(jié)點(diǎn)和所述可調(diào)容性網(wǎng)絡(luò)的所述第二節(jié)點(diǎn)。