[發(fā)明專利]一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310384578.7
• 申請(qǐng)日: 2013-08-29
• 公開（公告）號(hào): CN104425750A
• 公開（公告）日: 2015-03-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 周明杰;鐘鐵濤;王平;陳吉星
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/52
• 分類號(hào): H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 郝傳鑫;熊永強(qiáng)

1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽(yáng)極導(dǎo)電基板、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極層和封裝層，其特征在于，所述封裝層依次包括氮碳化硅層、硅化物層和混合層，所述氮碳化硅層設(shè)置在所述陰極層表面上，所述硅化物層的材質(zhì)為硅化鉻、硅化鉭、硅化鉿、硅化鈦、硅化鉬或硅化鈮；所述混合層的材質(zhì)為硅化鉻、硅化鉭、硅化鉿、硅化鈦、硅化鉬和硅化鈮中的一種和氟化物形成的混合材料，所述氟化物為氟化鋁、氟化鉿、氟化鋯、氟化鋰、氟化鈰或氟化釔；所述氟化物在混合層中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%～30%。

2.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述氮碳化硅層的厚度為100～150nm，所述硅化物層的厚度為100～150nm，所述混合層的厚度為100～150nm。

3.如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述硅化物層和混合層交替層疊3～5次。

4.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

（1）在潔凈的陽(yáng)極導(dǎo)電基板上采用真空蒸鍍的方法依次制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極層；

（2）在所述陰極層上制備封裝層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件，所述封裝層的制備方法如下：

（a）在所述陰極層上采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法制備氮碳化硅層；

（b）采用磁控濺射的方法在所述氮碳化硅層上制備硅化物層，所述硅化物層的材質(zhì)為硅化鉻、硅化鉭、硅化鉿、硅化鈦、硅化鉬或硅化鈮；濺射時(shí)本底真空度為1×10^-5～1×10^-3Pa；

（c）采用磁控濺射的方法在硅化物層上制備混合層，所述混合層的材質(zhì)為硅化鉻、硅化鉭、硅化鉿、硅化鈦、硅化鉬和硅化鈮中的一種和氟化物形成的混合材料，所述氟化物為氟化鋁、氟化鉿、氟化鋯、氟化鋰、氟化鈰或氟化釔；所述氟化物在混合層中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%～30%；濺射時(shí)本底真空度為1×10^-5～1×10^-3Pa。

5.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述硅化物層采用反應(yīng)磁控濺射法制備，磁控濺射靶材為鉻、鉭、鉿、鈦、鉬或鈮；通入氣體為硅烷和氬氣形成的混合氣體，所述硅烷占混合氣體的體積分?jǐn)?shù)為3%～11%，混合氣體流量為20～50sccm。

6.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，制備所述混合層時(shí)，通入氣體為氬氣，氣體流量為15～45sccm。

7.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述步驟（a）制備氮碳化硅層時(shí)，通入的工作氣體為甲基硅烷、氨氣和氫氣，氫氣的流量為190～210sccm，甲基硅烷的流量為4～10sccm，氨氣的流量是甲基硅烷的流量的20～30倍。

8.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述所述硅化物層的厚度為100～150nm，所述混合層的厚度為100～150nm，所述氮碳化硅層的厚度為100～150nm。

9.如權(quán)利要求4所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述硅化物層和混合層交替層疊3～5次。