[發(fā)明專利]圖形化方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310383321.X
• 申請(qǐng)日: 2013-08-28
• 公開（公告）號(hào): CN104425223B
• 公開（公告）日: 2017-11-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張海洋;周俊卿
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/033
• 分類號(hào): H01L21/033;H01L21/28
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種圖形化方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上由下至上依次形成待刻蝕層、柱體材料層和硬掩膜層；

圖形化所述硬掩膜層和柱體材料層，形成圖形化的硬掩膜層和柱體；

在所述圖形化的硬掩膜層和柱體側(cè)壁形成側(cè)墻；

去除所述圖形化的硬掩膜層和柱體；

去除所述圖形化的硬掩膜層和柱體后，以所述側(cè)墻為掩膜，刻蝕所述待刻蝕層，形成圖形化的待刻蝕層；

若所述圖形化的待刻蝕層的線寬大于預(yù)定尺寸，使用H₂等離子體刻蝕所述圖形化的待刻蝕層，以減小所述圖形化的待刻蝕層的線寬，最終達(dá)到所需的關(guān)鍵尺寸。

2.如權(quán)利要求1所述的圖形化方法，其特征在于，形成側(cè)墻的方法包括：

在待刻蝕層上表面、圖形化的硬掩膜層和柱體側(cè)壁，以及圖形化的硬掩膜層上表面形成側(cè)墻材料層；

刻蝕所述側(cè)墻材料層，露出待刻蝕層的上表面和圖形化的硬掩膜層的上表面，在所述圖形化的硬掩膜層和柱體側(cè)壁形成側(cè)墻。

3.如權(quán)利要求1所述的圖形化方法，其特征在于，形成側(cè)墻的方法包括：

在待刻蝕層上表面、圖形化的硬掩膜層和柱體側(cè)壁，以及圖形化的硬掩膜層上表面形成側(cè)墻材料層，側(cè)墻材料層上表面平坦；

刻蝕所述側(cè)墻材料層，露出待刻蝕層的上表面和圖形化的硬掩膜層的上表面，在所述圖形化的硬掩膜層和柱體側(cè)壁形成側(cè)墻。

4.如權(quán)利要求2或3所述的圖形化方法，其特征在于，形成側(cè)墻材料層的方法為CVD、PVD或ALD。

5.如權(quán)利要求1所述的圖形化方法，其特征在于，形成圖形化的待刻蝕層后，還包括：

使用H₂等離子體，或H₂和N₂的等離子體刻蝕所述圖形化的待刻蝕層的側(cè)壁。

6.如權(quán)利要求5所述的圖形化方法，其特征在于，刻蝕所述圖形化的待刻蝕層的側(cè)壁的溫度為60-300℃。

7.如權(quán)利要求5或6所述的圖形化方法，其特征在于，刻蝕所述圖形化的待刻蝕層的側(cè)壁的速率為

8.如權(quán)利要求1所述的圖形化方法，其特征在于，所述待刻蝕層為單晶硅層或多晶硅層。

9.如權(quán)利要求8所述的圖形化方法，其特征在于，所述待刻蝕層為單晶硅層，圖形化的待刻蝕層為鰭部；或者，

所述待刻蝕層為多晶硅層，圖形化的待刻蝕層為柵極。

10.如權(quán)利要求1所述的圖形化方法，其特征在于，去除所述圖形化的硬掩膜層和柱體的方法為濕法刻蝕或干法刻蝕。

11.如權(quán)利要求1所述的圖形化方法，其特征在于，所述硬掩膜層為氧化硅層、氮化硅層、氮化鈦層或電介質(zhì)抗反射涂覆層。

12.如權(quán)利要求1所述的圖形化方法，其特征在于，所述側(cè)墻的材料為氧化硅或氮化硅。

13.如權(quán)利要求12所述的圖形化方法，其特征在于，所述側(cè)墻的材料為氧化硅，所述氧化硅的形成方法為等離子體加強(qiáng)CVD法或ALD法。

14.如權(quán)利要求1所述的圖形化方法，其特征在于，所述柱體材料層為先進(jìn)圖案膜層、氮摻雜的碳化硅層、氧化硅層、氮化硅層或氮化鈦層。

15.如權(quán)利要求1所述的圖形化方法，其特征在于，圖形化所述硬掩膜層和柱體材料層的方法包括：

在所述硬掩膜層上形成圖形化的光刻膠；

以所述圖形化的光刻膠為掩膜，刻蝕所述硬掩膜層和柱體材料層，形成圖形化的硬掩膜層和柱體；

去除所述圖形化的光刻膠。

16.如權(quán)利要求15所述的圖形化方法，其特征在于，在所述硬掩膜層上形成圖形化的光刻膠前，先在所述硬掩膜層上形成底部抗反射層，所述圖形化的光刻膠形成在底部抗反射層上。