[發明專利]晶圓切割方法

有效

• 申請號: 201310382461.5
• 申請日: 2013-08-29
• 公開（公告）號: CN103441103A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發明（設計）人: 陸建剛
• 申請（專利權）人: 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78
• 代理公司: 無錫互維知識產權代理有限公司 32236
• 代理人: 龐聰雅;陳軍

1.一種晶圓切割方法，其特征在于，其包括：

提供晶圓，該晶圓包括正面和與該正面相對應的背面；

依次通過鐳射切割工藝和機械切割工藝自所述晶圓的正面向其背面進行切割，以在所述晶圓的正面側形成多個切割道；

在形成有所述切割道的晶圓的正面上貼附研磨膠膜；

對貼附有研磨膠膜的晶圓進行背面研磨，以使所述切割道貫穿研磨后的晶圓，從而形成多個分離的芯片。

2.根據權利要求1所述的晶圓切割方法，其特征在于，提供的所述晶圓還包括半導體層和形成于所述半導體層上的金屬層，所述金屬層位于所述晶圓的正面。

3.根據權利要求2所述的晶圓切割方法，其特征在于，依次通過鐳射切割工藝和機械切割工藝自所述晶圓的正面向其背面進行切割包括：

首先通過所述鐳射切割工藝形成貫穿所述金屬層的多個預切割道；

然后通過所述機械切割工藝于所述預切割道中繼續切割所述半導體層，以形成所述切割道。

4.根據權利要求3所述的晶圓切割方法，其特征在于，所述預切割道自所述晶圓的正面貫穿所述金屬層，其末端延伸入所述半導體層。

5.根據權利要求1-4任一所述的晶圓切割方法，其特征在于，其還包括：在形成有分離芯片的晶圓的背面貼附固定膠膜，并通過該固定膠膜將晶圓固定于晶圓架上；和

去除固定于所述晶圓架上的晶圓的正面上的研磨膠膜。

6.根據權利要求5所述的晶圓切割方法，其特征在于，所述研磨膠膜為紫外線膠膜，

去除固定于所述晶圓架上的晶圓的正面上的研磨膠膜包括：

對該紫外線膠膜進行紫外線光照；和

揭除所述紫外線膠膜。

7.根據權利要求1-4任一所述的晶圓切割方法，其特征在于，在形成有分離芯片的晶圓的背面貼附的固定膠膜為切割膠帶或者藍膜。

8.根據權利要求7所述的晶圓切割方法，其特征在于，所述半導體層為硅片層。