[發明專利]一種磁性存儲軌道的制備方法、設備和磁性存儲軌道

有效

• 申請號: 201310382143.9
• 申請日: 2013-08-28
• 公開（公告）號: CN104425707B
• 公開（公告）日: 2017-11-17
• 發明（設計）人: 林殷茵;韋竹林;趙俊峰;楊偉;楊凱;傅雅蓉
• 申請（專利權）人: 華為技術有限公司;復旦大學
• 主分類號: H01L43/12
• 分類號: H01L43/12;H01L43/02;H01L27/22
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司44202
• 代理人: 郝傳鑫,熊永強

技術領域

本發明涉及制造領域，尤其涉及一種磁性存儲軌道的制備方法、設備和磁性存儲軌道。

背景技術

目前磁性存儲軌道在電子元件器中應用十分廣泛，例如，在半導體器件中集成納米線磁性存儲軌道。目前制造磁性存儲軌道主要通過反應離子刻蝕技術制造磁性存儲軌道,但該技術每次只能制造一個磁性存儲軌道,從而制造磁性存儲軌道的效率很低。

發明內容

本發明實施例提供了一種磁性存儲軌道的制備方法、設備和磁性存儲軌道，可以提高制造磁性存儲軌道的效率。

第一方面，本發明實施例提供的一種磁性存儲軌道的制備方法，包括：

通過刻蝕工藝在硅體上刻蝕出H個第一凹形空間，所述H為大于1的整數；

在所述H個第一凹形空間中沉積一層磁性材料，并在沉積所述磁性材料后的第一凹形空間中填滿硅材料，以構造硅與磁性材料的組合體；

將所述組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體，以得H個U形磁性存儲軌道，其中，所述第一面為所述組合體包括的所述第一凹形空間的開口所在的面。

在第一方面的第一種可能的實現方式中，所述在所述H個第一凹形空間中沉積一層磁性材料，并在沉積所述磁性材料后的第一凹形空間中填滿硅材料，以構造硅與磁性材料的組合體之后，在所述將所述組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體，以得H個U形磁性存儲軌道之前，所述方法還包括：

通過刻蝕工藝在所述組合體上刻蝕出N個第二凹形空間，所述第二凹形空間與所述第一凹形空間正交，所述N為大于1的整數；

所述將所述組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體，以得H個U形磁性存儲軌道，包括：

將包括所述H個第一凹形空間和N個第二凹形空間的組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體，以得H×N個U形磁性存儲軌道。

結合第一方面的第一種可能的實現方式，在第一方面的第二種可能的實現方式中，所述在所述H個第一凹形空間中沉積一層磁性材料，并在沉積所述磁性材料后的第一凹形空間中填滿硅材料，以構造硅與磁性材料的組合體之后，在所述通過刻蝕工藝在所述組合體上刻蝕出N個第二凹形空間之前，所述方法還包括：

在所述組合體上涂一層光刻膠，并通過光刻工藝在所述光刻膠上刻出N個第三凹形空間；

所述通過刻蝕工藝在所述組合體上刻蝕出N個第二凹形空間，包括：

沿著所述光刻膠的N個第三凹形空間對所述組合體進行向下的刻蝕，刻蝕出N個第二凹形空間，所述第二凹形空間與所述第三凹形空間的方向和寬度相同。

結合第一方面的第二種可能的實現方式，在第一方面的第三種可能的實現方式中，所述通過光刻工藝在所述光刻膠上刻出N個第三凹形空間，包括：

使用第一掩膜版對所述光刻膠進行光刻，以在所述光刻膠上刻出N個第三凹形空間。

結合第一方面的上述任一實現方式，在第一方面的第四種可能的實現方式中，所述通過刻蝕工藝在硅體上刻蝕出H個第一凹形空間之前，所述方法還包括：

在所述硅體上涂一層光刻膠，并通過光刻工藝在所述光刻膠上刻出H個第四凹形空間；

所述通過刻蝕工藝在硅體上刻蝕出H個第一凹形空間，包括：

沿著所述光刻膠的H個第四凹形空間對所述硅體進行向下的刻蝕，刻蝕出H個第一凹形空間，所述第一凹形空間與所述第四凹形空間的方向和寬度相同。

結合第一方面的第四種可能的實現方式，在第一方面的第五種可能的實現方式中，所述通過光刻工藝在所述光刻膠上刻出H個第四凹形空間，包括：

使用第二掩膜版對所述光刻膠進行光刻，以在所述光刻膠上刻出H個第四凹形空間。

第二方面，本發明實施例提供一種磁性存儲軌道的制備設備，包括：第一刻蝕單元、沉積單元和去除單元，其中：

所述第一刻蝕單元，用于通過刻蝕工藝在硅體上刻蝕出H個第一凹形空間，所述H為大于1的整數；

所述沉積單元，用于在所述H個第一凹形空間中沉積一層磁性材料，并在沉積所述磁性材料后的第一凹形空間中填滿硅材料，以構造硅與磁性材料的組合體；

所述去除單元，用于將所述組合體第一面所裸露的磁性材料刻蝕掉或者氧化為絕緣體，以得H個U形磁性存儲軌道，其中，所述第一面為所述組合體包括的所述第一凹形空間的開口所在的面。

在第二方面的第一種可能的實現方式中，所述設備還包括：