[發(fā)明專利]太陽能電池用復合減反射膜及其制備方法無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310381948.1 | 申請日: | 2013-08-27 |
| 公開(公告)號: | CN103426939A | 公開(公告)日: | 2013-12-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | 劉志鋒 | 申請(專利權)人: | 天津儒創(chuàng)新材料科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0216 | 分類號: | H01L31/0216;H01L31/18 |
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| 地址: | 300112 天津市西*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 太陽能電池 復合 減反射膜 及其 制備 方法 | ||
技術領域
本發(fā)明屬于光伏領域,具體為太陽能電池用復合減反射膜及其制備方法,具體涉及采用溶膠-凝膠結合浸漬提拉工藝涂覆SiO2/TiO2復合減反射膜的方法。
技術背景
太陽能是取之不盡用之不竭的,根據(jù)計算,地球表面所接受的太陽輻射能,能夠達到目前全球能源需求的10000倍。以全球的沙漠面積來計算,若是能將太陽能光伏系統(tǒng)安裝在其面積的4%上,則這些太陽能光伏系統(tǒng)將會產生滿足我國需要的電力資源。
根據(jù)太陽能的接收與轉換方式,太陽能的利用方式被分為光利用、光熱利用以及光電利用這三種方式。其中光電利用即研究與開發(fā)太陽能電池是太陽能利用的有效手段之一。
在光伏太陽能電池的太陽能利用中,有一個最的大問題一太陽能的利用效率問題。根據(jù)計算,通常普通太陽能電池至多吸收25%左右的太陽光能量,一般吸收率是15%或者更低。這其中絕大部分是由反射造成的。
光的反射是指光線從折射率為n0的介質入射到折射率n1的另一介質時,在兩介質的分界面上產生的一種光學現(xiàn)象。
假設光沒有被介質吸收掉而且光線是垂直射向介質的,則反射率ρ為:ρ=(n0-n1)2/(n0+n1)2;則透射率T為:T=1-R。例如,當玻璃的折射率n=1.52時,可以知道在玻璃的每個表面上的反射大約為4.2%,而如果是對于折射率更加高的玻璃而言,其表面反射的現(xiàn)象將會更加的顯著。
表面反射造成的后果有:
1、太陽光能量的損失,使成像的亮度大大降低。
2、由表面的反射光形成的散光,將會使所成的像的襯度大大降低,從而影響成像的質量。特別的是例如電視和電影攝影鏡頭等復雜的系統(tǒng),這些設備都包含了多個與空氣相鄰的表面,如果不加上一些增透膜將不能進行應用。
在玻璃的表面上涂一層低折射率的減反膜可以達到減小反射的效果。根據(jù)理論上的計算,已經得出這樣一個結論:當減反膜的厚度達到入射波長的四分之一時,反射光是可以消除的。
減反膜的研究可以追溯到1887年,F(xiàn)raunhofer就曾經發(fā)現(xiàn)過這樣一個現(xiàn)象:新拋光玻璃的反射比陳舊玻璃的反射要高,他用硫酸、硝酸來老化玻璃,從而得到一個反射較低的玻璃。由此他認為:在玻璃的表面,其本身的折射性已經被改變。而且他提出了一個假設:在玻璃的表面,一些成分被除去了。
隨著科技的不斷發(fā)展以及時代背景的不同,減反膜的制備方法和工藝多種多樣,主要可分為單層減反膜和多層減反膜。
對于單層減反膜而言,目前普遍應用的是用真空蒸鍍法鍍制的減反膜。在單層減反膜中只要鍍制的薄膜的折射率n0小于玻璃的折射率n1就可以達到減反射的效果。盡管單層減反膜已經具有較好的減反效果,但在一些精密的光學儀器中,我仍然希望透光率進一步提高以便達到更好的效果,于是多層減反膜的研究也就成了必然。
多層減反膜是為了彌補單層減反膜的不足,從而通過增加在玻璃表面上的鍍膜次數(shù)來增加減反效率。多層減反膜具有在350-770nm的波長范圍內的中間段有比單層減反膜更低的反射率。然而,在多層減反膜的制備過程中,如何選擇減反射膜材料,控制減反射膜的厚度,及采用簡單易操作的工藝實現(xiàn)其性能的優(yōu)化,都是多層減反膜制備的關鍵所在。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提出一種太陽能電池用復合減反射膜及其制備方法。
一種太陽能電池用復合減反射膜及其制備方法。具體為首先設計TiO2和SiO2薄層交替的太陽能電池用復合減反射膜,然后,以鈦酸丁酯和硅酸乙酯為前驅體,乙醇為溶劑,分別配制TiO2和SiO2溶膠,采用浸漬-提拉工藝在普通玻璃上交替涂覆TiO2溶膠和SiO2溶膠,最后,進行熱處理,得太陽能電池用復合減反射膜。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





