[發明專利]金屬積層陶瓷基板的分斷方法及溝槽加工用工具在審
| 申請號： | 201310381702.4 | 申請日： | 2013-08-26 |
| 公開（公告）號： | CN103681295A | 公開（公告）日： | 2014-03-26 |
| 發明（設計）人： | 武田真和;村上健二;田村健太 | 申請（專利權）人： | 三星鉆石工業股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/304 | 分類號： | H01L21/304;B28D5/00;H05K3/46 |
| 代理公司： | 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019 | 代理人： | 壽寧;張華輝 |
| 地址： | 日本大阪府*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 金屬 陶瓷 方法 溝槽 工用 工具 | ||
1.一種積層陶瓷基板的分斷方法，其是在陶瓷基板積層有金屬膜的積層陶瓷基板的分斷方法，其特征在于該分斷方法包括：
沿著上述積層陶瓷基板的刻劃預定線利用圖案化工具對金屬膜進行溝槽加工；
沿著已去除上述金屬膜的溝槽自上述陶瓷基板的面進行刻劃；及
使上述積層陶瓷基板與劃線一致而進行折斷。
2.如權利要求1所述的積層陶瓷基板的分斷方法，其特征在于，其中上述陶瓷基板的刻劃為使用有刻劃輪的刻劃。
3.一種積層陶瓷基板的分斷方法，其是在陶瓷基板積層有金屬膜的積層陶瓷基板的分斷方法，其特征在于該分斷方法包括：
沿著上述積層陶瓷基板的刻劃預定線自上述陶瓷基板的面進行刻劃；
沿著上述陶瓷基板的劃線自上述金屬膜的面對金屬膜利用圖案化工具進行溝槽加工；及
使上述積層陶瓷基板與上述劃線一致而進行折斷。
4.如權利要求3所述的積層陶瓷基板的分斷方法，其特征在于，其中上述陶瓷基板的刻劃為使用有刻劃輪的刻劃。
5.一種積層陶瓷基板的分斷方法，其是在陶瓷基板積層有金屬膜的積層陶瓷基板的分斷方法，其特征在于該分斷方法包括：
沿著上述陶瓷基板的刻劃預定線對金屬膜利用圖案化工具進行溝槽加工；
自上述金屬膜的面沿著已去除金屬膜的溝槽對上述陶瓷基板轉動刻劃輪而進行刻劃；及
與上述積層陶瓷基板的劃線一致而進行折斷。
6.如權利要求5所述的積層陶瓷基板的分斷方法，其特征在于，其中上述陶瓷基板的刻劃為使用有刻劃輪的刻劃。
7.一種金屬膜積層陶瓷基板溝槽加工用工具，其是用以將金屬膜積層陶瓷基板的金屬膜的一部分去除而進行溝槽加工的溝槽加工用工具，其特征在于：
刀尖為圓錐臺形狀、角柱狀或將角柱狀的左右切開的形狀的任一形狀。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
