[發明專利]發光裝置及其制造方法在審
| 申請號: | 201310381486.3 | 申請日: | 2013-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN103682038A | 公開(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發明(設計)人: | 山田孝夫;梅宅郁子;鈴木亮 | 申請(專利權)人: | 日亞化學工業株式會社 |
| 主分類號: | H01L33/48 | 分類號: | H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 樊建中 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發光 裝置 及其 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及發光裝置的制造方法,更詳細來說,涉及將發光元件倒裝(flip?chip)式安裝在支撐體的發光裝置的制造方法。此外,本發明涉及能夠根據相關的制造方法進行制造的發光裝置。
背景技術
發光裝置一般將發光二極管等發光元件安裝在支撐體進行制造。作為該安裝方法之一,有倒裝式安裝(參照專利文獻1和2)。倒裝式安裝存在能夠將發光元件無線安裝于支撐體、能夠實現小面積化、向垂直方向提取光的光提取效率高這樣的優點。
以往,已知以下發光裝置,即,為了進一步提高光提取效率,在將發光元件倒裝式安裝于支撐體后去除基板的發光裝置。更詳細來說,該發光裝置如以下這樣地制造(參照專利文獻1)。首先,在藍寶石基板等生長用基板上使n型半導體層、活性層、以及p型半導體層生長,通過蝕刻部分地去除p型半導體層以及活性層而露出n型半導體層后,在由此得到的半導體層的與基板相反的同一面側形成p側電極以及n側電極,在p側電極以及n側電極上形成Au凸起,制作發光元件的芯片。另一方面,準備在同一面上具有p側布線以及n側布線的支撐體。接著,將這些芯片以及支撐體相對配置(反轉芯片的上下),通過超聲波接合將形成在芯片的p側電極以及n側電極的Au凸起與支撐體的p側布線以及n側布線進行機械以及電連接。然后,在形成在芯片和支撐體之間的空間中注入電絕緣性的底層填料(underfill)樹脂(硅系樹脂)并使其硬化。之后,通過激光剝離從芯片上去除生長用基板。在由此露出的半導體層上適當貼附熒光體板等還獲得。
在先專利文獻
專利文獻
專利文獻1:JP特表2011-501428號公報
專利文獻2:JP特開2011-57917號公報
發明內容
發明要解決的課題
在所述現有的發光裝置的制造方法中,通過超聲波接合對Au凸起和布線進行堅固接合,在形成在芯片和支撐體之間的空間中注入底層填料樹脂并使其硬化后,從芯片中去除基板。由此得到的發光裝置中,半導體層與Au凸起和底層填料樹脂這2種不同的材料相接而配置在支撐體,因此如果受到溫度變化,則由于通過超聲波接合而堅固地與布線不僅電接合而且機械接合的Au凸起和底層填料樹脂之間的熱膨脹差,會產生熱應力,該熱應力由于基板的去除而直接施加在強度變低的半導體層上,有時半導體層會被破壞(破裂),在可靠性這點上存在問題。
為了消除相關問題,例如考慮在通過基板的去除而露出的半導體層的上面形成由金屬等構成的疑似基板,增強半導體層。但是,在該情況下,在增加制造工序的基礎上,會產生由于金屬疑似基板而光提取效率受損這樣新的問題。
本發明的目的在于,提供一種將發光元件倒裝式安裝于支撐體的發光裝置的制造方法,是一種能夠實現具有高的光提取效率和高的可靠性這兩者的發光裝置的方法。
用于解決課題的手段
根據本發明,是一種將發光元件倒裝式安裝于支撐體的發光裝置的制造方法,包括:工序(a),準備構造體,該構造體具有:基板、形成在基板上的半導體層、形成在該半導體層上的p側電極以及n側電極;工序(b),準備在同一面上具有p側布線以及n側布線的支撐體;工序(c),使用包含導電性粒子以及第一樹脂的各向異性導電材料將所述構造體的p側電極以及n側電極和所述支撐體的p側布線以及n側布線分別電連接;工序(d),在工序(c)之后,從所述構造體去除所述基板作為發光元件。
此外,根據本發明,還提供一種發光裝置,其特征在于,具備:發光元件,該發光元件具有半導體層(一般為多個半導體層的層疊體)和形成在所述半導體層的同一面側的p側電極以及n側電極,半導體層的表面成為發光元件的最上面;以及支撐體,其在同一面上具有p側布線以及n側布線;所述發光元件的p側電極以及n側電極和所述支撐體的p側布線以及n側布線至少通過各向異性導電材料分別電連接,該各向異性導電材料包含導電性粒子以及第一樹脂。
發明的效果
根據本發明,在將發光元件倒裝式安裝于支撐體的發光裝置的制造方法中,在使用各向異性導電材料進行了安裝后,去除基板,所以能夠實現具有高的光提取效率和高的可靠性雙方的發光裝置。
附圖說明
圖1是說明本發明的一個實施方式中的發光裝置的制造方法的概略工序圖。
圖2是說明圖1的實施方式中的發光裝置的制造方法的概略工序圖。
圖3是說明圖1的實施方式中的發光裝置的制造方法的概略工序圖。
圖4是說明圖1的實施方式中的發光裝置的制造方法的概略工序圖。
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