[發(fā)明專利]一種產(chǎn)生離子碎片的大氣壓接口裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310380268.8
• 申請日: 2013-08-27
• 公開（公告）號: CN103441057A
• 公開（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 莫婷;朱輝;黃正旭;高偉;周振;李梅;鐘偉軒
• 申請（專利權(quán)）人: 廣州禾信分析儀器有限公司;昆山禾信質(zhì)譜技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01J49/04
• 分類號: H01J49/04
• 代理公司: 廣州嘉權(quán)專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44205
• 代理人: 譚英強(qiáng)

1.一種產(chǎn)生離子碎片的大氣壓接口裝置，其特征在于：包括有同軸依次設(shè)置的不銹鋼毛細(xì)管（1）、聚焦極片（2）、四極桿（3）、引出極片（4）和平面分離錐（5），所述平面分離錐（5）中心開有小孔（6）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種產(chǎn)生離子碎片的大氣壓接口裝置，其特征在于：所述不銹鋼毛細(xì)管（1）上設(shè)置有恒溫加熱裝置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種產(chǎn)生離子碎片的大氣壓接口裝置，其特征在于：所述四極桿（3）的每根極桿均包括有五段被絕緣墊片隔開的表面光滑的金屬環(huán)，相鄰的金屬環(huán)間通過一組并聯(lián)的貼片電阻及貼片電容連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種產(chǎn)生離子碎片的大氣壓接口裝置，其特征在于：所述四極桿（3）處于真空狀態(tài)中，所述真空狀態(tài)的真空度在0.1~3托之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種產(chǎn)生離子碎片的大氣壓接口裝置，其特征在于：所述小孔（6）直徑范圍為0.35~0.7mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種產(chǎn)生離子碎片的大氣壓接口裝置，其特征在于：所述四極桿（3）的極桿兩端施加射頻電壓，通過環(huán)間的貼片電容保證金屬環(huán)上施加有相同頻率和相同幅值的射頻電壓。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種產(chǎn)生離子碎片的大氣壓接口裝置，其特征在于：所述四極桿（3）的極桿兩端施加直流電壓，直流電壓經(jīng)金屬環(huán)間的貼片電阻分壓，在四級桿內(nèi)部形成軸向梯度電場。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種產(chǎn)生離子碎片的大氣壓接口裝置，其特征在于：所述聚焦極片（2）、引出極片（4）和平面分離錐（5）上均施加直流電壓，所述聚焦極片（2）用于離子注入，所述引出極片（4）用于離子引出。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種產(chǎn)生離子碎片的大氣壓接口裝置，其特征在于：所述絕緣墊片為Kapton墊片。