[發明專利]去除多晶硅中雜質硼的方法有效

申請號：	201310380179.3	申請日：	2013-08-28
公開（公告）號：	CN104418326A	公開（公告）日：	2015-03-18
發明（設計）人：	譚毅;李佳艷;游小剛;郭素霞;石爽;廖嬌;秦世強	申請（專利權）人：	大連理工大學
主分類號：	C01B33/037	分類號：	C01B33/037
代理公司：	大連非凡專利事務所 21220	代理人：	高學剛
地址：	116000 遼***	國省代碼：	遼寧;21
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摘要：
搜索關鍵詞：	去除多晶雜質方法
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【權利要求書】：

1.一種去除多晶硅中雜質硼的方法，其特征在于：所述的方法包括按照以下步驟進行：首先將需要去除雜質的多晶硅片進行電化學腐蝕處理，形成多孔硅片，然后將多孔硅片進行穩定化處理，經穩定化處理后的多孔硅片置于電子束熔煉爐的樣品臺上，設置真空腔室的真空度為2-5×10^-2Pa，電子槍室的真空度為1-4×10^-3Pa，在30KV的壓力條件下以30mA的電子束流轟擊多孔硅3min，電子束注入結束后，用NaOH溶液清洗多孔硅片，然后用去離子水清洗，直至去離子水呈中性，最終獲得硼含量小于0.0001%的高純多晶硅片。

2.根據權利要求1所述的去除多晶硅中雜質硼的方法，其特征在于：所述的電子束流為圓形波。

3.根據權利要求2所述的去除多晶硅中雜質硼的方法，其特征在于：所述的NaOH溶液的摩爾濃度為0.1mol/L，利用NaOH溶液對多孔硅片進行清洗的時間為15-25min。

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