[發(fā)明專利]調(diào)整等離子體處理系統(tǒng)的方位非均勻性的對稱返回襯墊

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310380150.5
• 申請日: 2013-08-27
• 公開（公告）號: CN103632916A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陶玄浩;洪俊杰;保羅·賴卡特
• 申請（專利權(quán)）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32;H01L21/67
• 代理公司: 上海勝康律師事務(wù)所 31263
• 代理人: 李獻(xiàn)忠

1.一種具有用于處理襯底的等離子體處理室的等離子體處理系統(tǒng)，所述等離子體處理室包括：

襯底支撐件，其用于在所述處理過程中支撐所述襯底；

室壁；以及

室襯，其至少部分地襯托所述室壁的內(nèi)表面，其中所述室襯包括至少一個(gè)鏡像切口，該至少一個(gè)鏡像切口被構(gòu)造來映射所述室襯中的現(xiàn)有切口和現(xiàn)有端口中的一個(gè)。

2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述鏡像切口具有與所述室襯中的現(xiàn)有切口和現(xiàn)有端口中的所述一個(gè)大致相同的形狀和尺寸。

3.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述鏡像切口位于所述室襯中的現(xiàn)有切口和現(xiàn)有端口中的所述一個(gè)的對面180度處。

4.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中每一個(gè)現(xiàn)有切口或現(xiàn)有端口在所述室襯中配備有配對的鏡像切口。

5.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中在所述室襯中只為現(xiàn)有端口的子集或現(xiàn)有切口的子集中的每一個(gè)配備配對的鏡像切口。

6.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述室襯包括虛設(shè)結(jié)構(gòu)以改變氣流和RF返回電流中的一者從而至少補(bǔ)償由所述等離子體處理室中的現(xiàn)有阻礙結(jié)構(gòu)呈給氣流和RF返回電流中的所述一者的阻礙。

7.一種具有用于處理襯底的等離子體處理室的等離子體處理系統(tǒng)，所述等離子體處理室包括：

襯底支撐件，其用于在所述處理過程中支撐所述襯底；

室壁；以及

室襯，其至少部分地襯托所述室壁的內(nèi)表面，其中所述室襯包括虛設(shè)結(jié)構(gòu)以改變氣流和RF返回電流中的一者從而至少補(bǔ)償由所述等離子體處理室中的現(xiàn)有阻礙結(jié)構(gòu)呈給氣流和RF返回電流中的所述一者的阻礙。

8.如權(quán)利要求7所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述現(xiàn)有阻礙結(jié)構(gòu)是支撐所述等離子體處理室中的下電極的懸臂。

9.如權(quán)利要求7所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述虛設(shè)結(jié)構(gòu)位于所述室襯中的所述現(xiàn)有阻礙結(jié)構(gòu)的對面180度處。

10.一種具有等離子體處理室的等離子體處理系統(tǒng)，所述等離子體處理室包括：

接地環(huán)；

室襯；以及

多個(gè)RF帶，其被電氣耦合到所述接地環(huán)和所述室襯從而為RF返回電流提供傳導(dǎo)路徑，其中所述多個(gè)RF帶中的RF帶數(shù)量大于8。

11.如權(quán)利要求10所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述多個(gè)RF帶圍繞所述室襯的外周被等距地間隔開。

12.如權(quán)利要求10所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述多個(gè)RF帶圍繞所述室襯的外周被非均勻地間隔開。

13.如權(quán)利要求10所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述RF帶數(shù)量是20。

14.如權(quán)利要求10所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述室襯包括至少一個(gè)鏡像切口，該至少一個(gè)鏡像切口被構(gòu)造來映射所述室襯中的現(xiàn)有切口和現(xiàn)有端口中的一個(gè)。

15.如權(quán)利要求14所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述鏡像切口具有與所述室襯中的現(xiàn)有切口和現(xiàn)有端口中的所述一個(gè)大致相同的形狀和尺寸。

16.如權(quán)利要求10所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述鏡像切口位于所述室襯中的現(xiàn)有切口和現(xiàn)有端口中的所述一個(gè)的對面180度處。

17.如權(quán)利要求10所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述室襯包括虛設(shè)結(jié)構(gòu)以改變氣流和RF返回電流中的一者從而至少補(bǔ)償由所述等離子體處理室中的現(xiàn)有阻礙結(jié)構(gòu)呈給氣流和RF返回電流中的所述一者的阻礙。

18.如權(quán)利要求17所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述現(xiàn)有阻礙結(jié)構(gòu)是支撐所述等離子體處理室中的下電極的懸臂。

19.如權(quán)利要求18所述的等離子體處理系統(tǒng)，其中所述虛設(shè)結(jié)構(gòu)位于所述室襯中的所述現(xiàn)有阻礙結(jié)構(gòu)的對面180度處。