[發明專利]一種半導體器件及其形成方法

有效

• 申請號: 201310380138.4
• 申請日: 2013-08-27
• 公開（公告）號: CN104425440B
• 公開（公告）日: 2017-09-08
• 發明（設計）人: 趙洪波;何作鵬;沈哲敏;戚德奎
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L21/768
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種半導體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底；

在所述半導體襯底上形成下電極板；

在所述下電極板的部分區域上形成電介質層；

在所述電介質層上形成上電極板；

在所述半導體襯底上形成隔離層，所述隔離層覆蓋所述上電極板、電介質層和下電極板；

在所述隔離層上形成至少一層壓力緩沖層；

在每一層壓力緩沖層上均形成層間介質層；

在所述上電極板上的層間介質層、壓力緩沖層和隔離層內形成第一通孔，直至露出所述上電極板；

在除所述部分區域外的下電極板上的層間介質層、壓力緩沖層和隔離層內形成第二通孔，直至露出所述下電極板；

在所述第一通孔內形成第一導電插塞，在所述第二通孔內形成第二導電插塞。

2.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述壓力緩沖層的材料的K值為2.0～3.0，對所述壓力緩沖層對其下方的一層層間介質層或隔離層產生的壓強值小于40MPa。

3.如權利要求2所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述壓力緩沖層的延展性為5～15%。

4.如權利要求2所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述壓力緩沖層的玻璃化溫度≥400℃。

5.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述壓力緩沖層的厚度與所述層間介質層的厚度比值為0.2～1。

6.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述壓力緩沖層的材料為苯丙環丁烯。

7.如權利要求6所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述壓力緩沖層的形成工藝為CVD工藝。

8.如權利要求7所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述壓力緩沖層的形成工藝包括：

在溫度為350～450℃、壓力為2～5托、射頻能量為30～100w條件下，通入二乙烯基硅氧烷-雙苯丙環丁烯形成所述壓力緩沖層。

9.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述層間介質層的厚度為

10.如權利要求1所述的半導體器件的形成方法，其特征在于，所述上電極板與相鄰的壓力緩沖層的距離為

11.一種半導體器件，其特征在于，包括：

位于半導體襯底上的下電極板；

位于所述下電極板的部分區域上的電介質層；

位于所述電介質層上的上電極板；

位于所述半導體襯底上的隔離層，所述隔離層覆蓋所述上電極板、電介質層和下電極板；

位于所述隔離層上方的至少一層壓力緩沖層；

位于每層壓力緩沖層上的層間介質層；

位于所述上電極板上，且貫穿所述層間介質層、壓力緩沖層和隔離層的第一導電插塞，所述第一導電插塞與所述上電極板連接；

位于除所述部分區域外的下電極板上，且貫穿所述層間介質層、壓力緩沖層和隔離層的第二導電插塞，所述第二導電插塞與所述下電極板連接。

12.如權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述壓力緩沖層的材料的K值為2.0～3.0，對所述壓力緩沖層對其下方的一層層間介質層或隔離層產生的壓強值小于40MPa。

13.如權利要求12所述的半導體器件，其特征在于，所述壓力緩沖層的延展性為5～15%。

14.如權利要求12所述的半導體器件，其特征在于，所述壓力緩沖層的玻璃化溫度≥400℃。

15.如權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述壓力緩沖層的厚度與層間介質層的厚度比值為0.2～1。

16.如權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述壓力緩沖層的材料為苯丙環丁烯。

17.如權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述層間介質層的厚度為

18.如權利要求11所述的半導體器件，其特征在于，所述上電極板與相鄰的壓力緩沖層的距離為