[發明專利]埋層腔體型SOI的制造方法無效
| 申請號： | 201310379990.X | 申請日： | 2013-08-27 |
| 公開（公告）號： | CN103407958A | 公開（公告）日： | 2013-11-27 |
| 發明（設計）人： | 徐元俊;薛維佳 | 申請（專利權）人： | 上海先進半導體制造股份有限公司 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭瑋 |
| 地址： | 200233 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 埋層腔 體型 soi 制造 方法 | ||
1.一種埋層腔體型SOI的制造方法，其特征在于，包括：
提供半導體襯底，在其上形成所需的腔體圖形；
提供SOI硅片，所述SOI硅片包括硅襯底、硅襯底上的SiO2埋層以及頂層硅；
將所述SOI硅片放置在所述半導體襯底上，所述SOI硅片具有頂層硅的表面與所述半導體襯底上形成有腔體圖形的表面相接觸，進行硅硅鍵合；
進行第一次刻蝕，去除所述SOI硅片中的硅襯底；
進行第二次刻蝕，去除所述SOI硅片中的SiO2埋層。
2.如權利要求1所述的埋層腔體型SOI的制造方法，其特征在于，所述半導體襯底的材質為單晶硅。
3.如權利要求2所述的埋層腔體型SOI的制造方法，其特征在于，所述腔體圖形的面積為100um×100um～700um×700um。
4.如權利要求1所述的埋層腔體型SOI的制造方法，其特征在于，所述頂層硅的厚度為
5.如權利要求4所述的埋層腔體型SOI的制造方法，其特征在于，所述埋層SiO2的厚度為
6.如權利要求1所述的埋層腔體型SOI的制造方法，其特征在于，所述第一次刻蝕和第二次刻蝕都采用濕法刻蝕。
7.如權利要求6所述的埋層腔體型SOI的制造方法，其特征在于，所述第一次濕法刻蝕采用氫氟酸或熱磷酸。
8.如權利要求6所述的埋層腔體型SOI的制造方法，其特征在于，所述第二次濕法刻蝕采用BOE溶液。
9.如權利要求1～8中任意一項所述的埋層腔體型SOI的制造方法，其特征在于，在第一次刻蝕之前，還包括：在所述半導體襯底的底面涂覆膠層。
10.如權利要求1～8中任意一項所述的埋層腔體型SOI的制造方法，其特征在于，在第二次刻蝕之后，還包括：去除所述半導體襯底底面的膠層。
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