[發明專利]CMOS比較器的前置放大器電路有效

申請號：	201310379394.1	申請日：	2013-08-27
公開（公告）號：	CN103441736A	公開（公告）日：	2013-12-11
發明（設計）人：	劉偉;魏廷存;李博;高武;鄭然;胡永才	申請（專利權）人：	西北工業大學
主分類號：	H03F1/30	分類號：	H03F1/30;H03F3/45
代理公司：	西北工業大學專利中心 61204	代理人：	王鮮凱
地址：	710072 ***	國省代碼：	陜西;61
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摘要：
搜索關鍵詞：	cmos 比較前置放大器電路
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【權利要求書】：

1.一種CMOS比較器的前置放大器電路，其特征在于包括NMOS晶體管M_N1、NMOS晶體管M_N2、NMOS晶體管M_N0、PMOS晶體管M_P1、PMOS晶體管M_P2、開關S₁、開關S₂、開關S₃、開關S₄、存儲電容C₁和存儲電容C₂；NMOS晶體管M_N1和NMOS晶體管M_N2作為差分輸入對管；PMOS晶體管M_P1和PMOS晶體管M_P2作為負載，開關S₁和S₂分別連接在PMOS晶體管M_P1和PMOS晶體管M_P2的柵-漏之間；失調存儲電容C₁和失調存儲電容C₂的一端分別連接到PMOS晶體管M_P1和PMOS晶體管M_P2的柵極，失調存儲電容C₁和失調存儲電容C₂的另一端連接到電源V_DD上；NMOS晶體管M_N1和NMOS晶體管M_N2的柵極分別連接輸入信號V_INP和V_INN，并通過開關S₃和開關S₄連接到共模電平V_CM上；NMOS晶體管M_N0作為尾電流源，NMOS晶體管的柵極連接偏置電壓V_B，NMOS晶體管漏極與NMOS晶體管M_N1和NMOS晶體管M_N2管的源極連接，NMOS晶體管源極接地。