[發(fā)明專利]基于納米粒子掩膜刻蝕的圖形化親疏復(fù)合表面制備工藝無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201310379324.6 | 申請(qǐng)日： | 2013-08-27 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN103482564A | 公開(kāi)（公告）日： | 2014-01-01 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王莉;丁玉成;嚴(yán)誠(chéng)平;羅鈺;崔志波;呂丹輝 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 西安交通大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào)： | B81C1/00 | 分類(lèi)號(hào)： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人： | 汪人和 |
| 地址： | 710049 *** | 國(guó)省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 納米 粒子 刻蝕 圖形 親疏 復(fù)合 表面 制備 工藝 | ||
1.一種基于納米粒子掩膜刻蝕的圖形化親疏復(fù)合表面制備工藝，其特征在于，包括以下步驟：
(a)單層納米粒子制備
清洗基片，在清洗好的基片上制備單層納米粒子；
(b)納米粒子掩膜刻蝕
以步驟（a）中制備的單層納米粒子為掩膜，用電感耦合等離子體刻蝕制備出納米結(jié)構(gòu)；
(c)光刻
在步驟（b）所制備的納米結(jié)構(gòu)表面利用光刻技術(shù)制備出圖形化光刻膠表面；
(d)處理圖形化光刻膠表面
用電感耦合等離子體沉積的方式在步驟（c）制備的圖形化光刻膠表面制備C4F8層；
(e)去除光刻膠
步驟（d）后，采用超聲清洗去除光刻膠，得到圖形化親疏復(fù)合表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于納米粒子掩膜刻蝕的圖形化親疏復(fù)合表面制備工藝，其特征在于，步驟（a）中，基片清洗具體為：依次用酒精、丙酮、去離子水對(duì)基片進(jìn)行清理，之后將基片置于烘干臺(tái)烘干。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于納米粒子掩膜刻蝕的圖形化親疏復(fù)合表面制備工藝，其特征在于，步驟（a）中，采用溶液合成法制備出納米粒子，然后采用旋涂法制備單層密排納米粒子。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的基于納米粒子掩膜刻蝕的圖形化親疏復(fù)合表面制備工藝，其特征在于，用旋涂法將納米粒子懸浮液旋涂于基片上，納米粒子直徑450納米，濃度1.6克/升，旋涂轉(zhuǎn)速600轉(zhuǎn)/分，時(shí)間20秒，置于60攝氏度烘臺(tái)上烘干。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于納米粒子掩膜刻蝕的圖形化親疏復(fù)合表面制備工藝，其特征在于，步驟（c）中，通過(guò)改變掩膜板圖形形狀，光刻顯影后得到不同形狀尺寸的圖形化表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于納米粒子掩膜刻蝕的圖形化親疏復(fù)合表面制備工藝，其特征在于，步驟（e）中，用乙醇去除光刻膠。
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