[發明專利]基于納米粒子掩膜刻蝕的圖形化親疏復合表面制備工藝

無效

• 申請號: 201310379324.6
• 申請日: 2013-08-27
• 公開（公告）號: CN103482564A
• 公開（公告）日: 2014-01-01
• 發明（設計）人: 王莉;丁玉成;嚴誠平;羅鈺;崔志波;呂丹輝
• 申請（專利權）人: 西安交通大學
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00
• 代理公司: 西安通大專利代理有限責任公司 61200
• 代理人: 汪人和

1.一種基于納米粒子掩膜刻蝕的圖形化親疏復合表面制備工藝，其特征在于，包括以下步驟：

(a)單層納米粒子制備

清洗基片，在清洗好的基片上制備單層納米粒子；

(b)納米粒子掩膜刻蝕

以步驟（a）中制備的單層納米粒子為掩膜，用電感耦合等離子體刻蝕制備出納米結構；

(c)光刻

在步驟（b）所制備的納米結構表面利用光刻技術制備出圖形化光刻膠表面；

(d)處理圖形化光刻膠表面

用電感耦合等離子體沉積的方式在步驟（c）制備的圖形化光刻膠表面制備C₄F₈層；

(e)去除光刻膠

步驟（d）后，采用超聲清洗去除光刻膠，得到圖形化親疏復合表面。

2.根據權利要求1所述的基于納米粒子掩膜刻蝕的圖形化親疏復合表面制備工藝，其特征在于，步驟（a）中，基片清洗具體為：依次用酒精、丙酮、去離子水對基片進行清理，之后將基片置于烘干臺烘干。

3.根據權利要求1所述的基于納米粒子掩膜刻蝕的圖形化親疏復合表面制備工藝，其特征在于，步驟（a）中，采用溶液合成法制備出納米粒子，然后采用旋涂法制備單層密排納米粒子。

4.根據權利要求1或3所述的基于納米粒子掩膜刻蝕的圖形化親疏復合表面制備工藝，其特征在于，用旋涂法將納米粒子懸浮液旋涂于基片上，納米粒子直徑450納米，濃度1.6克/升，旋涂轉速600轉/分，時間20秒，置于60攝氏度烘臺上烘干。

5.根據權利要求1所述的基于納米粒子掩膜刻蝕的圖形化親疏復合表面制備工藝，其特征在于，步驟（c）中，通過改變掩膜板圖形形狀，光刻顯影后得到不同形狀尺寸的圖形化表面。

6.根據權利要求1所述的基于納米粒子掩膜刻蝕的圖形化親疏復合表面制備工藝，其特征在于，步驟（e）中，用乙醇去除光刻膠。