[發明專利]一種薄規格、超低鐵損、低噪聲高磁感取向硅鋼片及其制備方法

有效

• 申請號: 201310379013.X
• 申請日: 2013-08-27
• 公開（公告）號: CN103540846A
• 公開（公告）日: 2014-01-29
• 發明（設計）人: 楊富堯;馬光;陳新;程靈;韓鈺;聶京凱;祝志祥
• 申請（專利權）人: 國家電網公司;國網智能電網研究院
• 主分類號: C22C38/16
• 分類號: C22C38/16;C21D8/12
• 代理公司: 北京安博達知識產權代理有限公司 11271
• 代理人: 徐國文

1.一種冷軋取向硅鋼片，其特征在于所述硅鋼片的厚度為0.18mm，鐵芯損耗P1.7≤0.80W/Kg，磁致伸縮系數λ≤6×10^-6，磁通密度B8≥1.88T。

2.如權利要求1所述的取向硅鋼，其特征在于所述硅鋼片的組成成分為：

C：0.003～0.05wt%????Si：4.1～9wt%?????????Mn：0.05～0.5wt%

Al：0.02～0.06wt%????Sn：0.01～1wt%????????Mo：0.05～0.1wt%

Cu：0.2～1wt%????????N：0.003～0.02wt%?????P：0.002～0.06wt%

S：0.001～0.008wt%，余量由鐵和其他不可避免的雜質。

3.一種如權利要求2所述取向硅鋼片的制造技術，該方法包括如下步驟：

制備由C、Si、Mn、Al、Sn、Mo、Cu、N、P、S，余量由鐵和其他不可避免的雜質組成硅鋼錠；

經熱軋、卷曲、?；⒗滠?、脫碳-滲氮、高溫退火、凈化、冷卻、涂覆絕緣涂層，制得。

4.如權利要求3所述的制造技術，其特征在于，所述熱軋過程應將溫度控制在1150～1300℃，保溫2～3h。

5.如權利要求3所述的制造技術，其特征在于，所述熱軋最終壓下量為80～90%，板材厚度≤3mm。

6.如權利要求3所述的制造技術，其特征在于，所述?；瘻囟仍?00～1100℃，保溫1～5min。

7.如權利要求3所述的制造技術，其特征在于，所述冷軋壓下量為80～90%，厚度≤0.18mm。

8.如權利要求3所述的制造技術，其特征在于，所述脫碳-滲氮中最終C含量為30～500ppm。

9.如權利要求3所述的制造技術，其特征在于，

1)所述高溫退火在純氮氣保護下，升到400～500℃保溫2～4h，去除水蒸氣并隔離空氣；

2)在氮氣：氫氣為1：1～3條件下，將爐溫升至1120～1200℃后，環境換為純氫氣，保溫8～10h。

10.如權利要求3所述的制造技術，其特征在于，所述高溫退火步驟2）中采用的升溫速率為31℃/h～43℃/h。