[發明專利]可程式元件及其制造方法

有效

• 申請號: 201310378999.9
• 申請日: 2013-08-27
• 公開（公告）號: CN104425626B
• 公開（公告）日: 2017-09-22
• 發明（設計）人: 周澤瑋;楊慶忠
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/788
• 分類號: H01L29/788;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種可程式元件，包括：

基板，具有第一源極區域、第一漏極區域、和鄰近該源極區域與該漏極區域的第一擴散區域；

通道，連接該第一源極區域與該第一漏極區域；

浮置柵極，以一導電材料形成，該浮置柵極位于該基板上并與該通道對應；

輕摻雜漏極注入區域，位于該基板處并對應該第一擴散區域，其中該輕摻雜漏極注入區域包圍該第一擴散區域，和

第一溝槽，形成于該基板的該第一擴散區域處；

其中，該浮置柵極延伸至該第一溝槽，該導電材料覆蓋該第一溝槽的一側壁。

2.如權利要求1所述的可程式元件，其中該第一溝槽電連接該浮置柵極。

3.如權利要求1所述的可程式元件，其中一穿隧氧化層形成于該第一溝槽的該側壁，該導電材料形成于該穿隧氧化層上。

4.如權利要求1所述的可程式元件，其中該導電材料覆蓋該第一溝槽的該側壁和一底表面，以形成該第一溝槽的一襯里層。

5.如權利要求1所述的可程式元件，其中該導電材料的一末端實質上對齊該第一溝槽的一開口邊緣。

6.如權利要求1所述的可程式元件，其中該導電材料的一末端大于該第一溝槽的一開口邊緣。

7.如權利要求1所述的可程式元件，其中當一可編程電壓跨在該第一源極區域與該第一漏極區域之間時，至少覆蓋該第一溝槽的該側壁的該導電材料電容耦合該第一漏極區域至該浮置柵極與該第一溝槽的該導電材料。

8.如權利要求1所述的可程式元件，還包括：

第二源極區域、第二漏極區域形成于該基板上，且與前述第一源極區域與前述第一漏極區域沿著一行方向排列，其中該第一溝槽形成于該第二源極區域、該第二漏極區域和前述第一源極區域、前述第一漏極區域之間；和

另一浮置柵極，延伸至該第一溝槽并與該第一溝槽的該導電材料耦接。

9.如權利要求1所述的可程式元件，還包括：

第二源極區域、第二漏極區域和第二擴散區域形成于該基板上，且該第二源極區域與該第二漏極區域沿著一列方向鄰接于前述第一源極區域與前述第一漏極區域而排列；

第二溝槽形成于該基板的該第二擴散區域處；

第二浮置柵極，由該導電材料形成，并延伸至該第二溝槽；

其中，該第二溝槽和前述第一溝槽安排于不同列。

10.一種可程式元件的制造方法，包括：

提供一基板，該基板具有一源極區域、一漏極區域、和鄰近該源極區域與該漏極區域的一擴散區域，其中一通道連接該源極區域與該漏極區域；

形成一輕摻雜漏極注入區域于該基板處并對應該擴散區域，其中該輕摻雜漏極注入區域包圍該擴散區域；

形成一溝槽于該基板的該擴散區域處；和

以一導電材料形成一浮置柵極于該基板上，該浮置柵極延伸至該溝槽使該導電材料覆蓋該溝槽的一側壁。

11.如權利要求10所述的制造方法，其中當一可編程電壓跨在該源極區域與該漏極區域之間時，至少覆蓋該溝槽的該側壁的該導電材料電容耦合該漏極區域至該浮置柵極與該溝槽的該導電材料。

12.如權利要求10所述的制造方法，還包括形成一穿隧氧化層于該溝槽的該側壁上，該導電材料形成于該穿隧氧化層上。

13.如權利要求10所述的制造方法，其中該導電材料覆蓋該溝槽的該側壁和一底表面，以形成該溝槽的一襯里層。

14.如權利要求10所述的制造方法，其中該導電材料的一末端實質上對齊該溝槽的一開口邊緣。

15.如權利要求10所述的制造方法，其中該導電材料的一末端大于該溝槽的一開口邊緣。

16.如權利要求10所述的制造方法，還包括形成一淺溝槽隔離于該基板處。

17.如權利要求16所述的制造方法，還包括：

同時形成該溝槽于該擴散區域處和一隔離溝槽于該基板；

充填一介電材料于該隔離溝槽以形成該淺溝槽隔離，且該擴散區域處的該溝槽也填入該介電材料；和

以該導電材料置換該溝槽的該介電材料。