[發明專利]非易失性存儲器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201310378606.4
• 申請日: 2013-08-27
• 公開（公告）號: CN104103641B
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發明（設計）人: 崔殷碩;沈思用;李仁惠;鄭承旭;吳政錫
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H01L27/115
• 分類號: H01L27/115
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 俞波;石卓瓊

1.一種非易失性存儲器件，包括：

襯底，所述襯底包括第一字線形成區、第二字線形成區、以及插入在所述第一字線形成區與所述第二字線形成區之間的支撐區；

第一層疊結構和第二層疊結構，所述第一層疊結構和第二層疊結構分別設置在所述第一字線形成區和所述第二字線形成區的襯底之上，并且所述第一層疊結構和第二層疊結構的每一個中都交替地層疊有多個層間電介質層和多個導電層；

第三層疊結構，所述第三層疊結構設置在所述支撐區的襯底之上，并且所述第三層疊結構中交替地層疊有所述多個層間電介質層和多個空間，其中，所述多個多個空間呈凹槽的形式并且不具有導電的材料；

第一溝道層和第二溝道層，所述第一溝道層和第二溝道層分別設置在所述第一層疊結構和第二層疊結構中；

第一存儲層，所述第一存儲層插入在所述第一溝道層與所述多個導電層中的每個之間；以及

第二存儲層，所述第二存儲層插入在所述第二溝道層與所述多個導電層中的每個之間。

2.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述第一字線形成區和所述第二字線形成區沿第二方向延伸，

所述支撐區沿與所述第二方向相交叉的第一方向位于所述第一字線形成區和所述第二字線形成區之間，

每個所述第一層疊結構沿所述第一方向測量的寬度比所述第三層疊結構沿所述第二方向測量的寬度大，并且

每個所述第二層疊結構沿所述第一方向測量的寬度比所述第三層疊結構沿所述第二方向測量的寬度大。

3.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述多個空間形成在與各個導電層相對應的位置處。

4.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述第一存儲層還插入在所述第一層疊結構的多個層間電介質層中的一個和所述第一層疊結構的多個導電層中的一個之間。

5.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述第一存儲層包圍所述第一溝道層的側表面。

6.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述襯底包括連接部，所述連接部連接所述第一字線形成區的第一溝道層和所述第二字線形成區的第二溝道層。

7.如權利要求1所述的非易失性存儲器件，其中，所述第一溝道層與所述襯底的第一部分連接、并穿通所述第一層疊結構，并且

所述第二溝道層與所述襯底的第二部分連接、并穿通所述第二層疊結構。

8.一種制造非易失性存儲器件的方法，包括以下步驟：

在襯底之上形成層疊結構，所述層疊結構包括交替層疊的多個層間電介質層和多個犧牲層；

利用掩模圖案作為刻蝕阻擋層來刻蝕所述層疊結構到至少穿通最下層的犧牲層的深度，其中，所述掩模圖案覆蓋第一字線形成區、第二字線形成區、以及插入在所述第一字線形成區與所述第二字線形成區之間的支撐區；

通過去除由刻蝕而暴露出的所述多個犧牲層來形成凹槽；

在形成有所述凹槽的所得結構之上形成導電層；以及

去除所述導電層的一部分，使得所述第一字線形成區和所述第二字線形成區中的凹槽的導電層保留，而所述支撐區中的凹槽的導電層被去除，

其中，所述多個層間電介質層進一步設置在與所述第一字線形成區和第二字線形成區之間的部分相對應的支撐區處，并用作防止所述第一字線形成區和第二字線形成區的層疊結構傾斜的支撐。

9.如權利要求8所述的方法，其中，所述第一字線形成區和所述第二字線形成區沿第二方向延伸，

所述支撐區沿與所述第二方向相交叉的第一方向位于所述第一字線形成區和所述第二字線形成區之間，以及

所述第一字線形成區和所述第二字線形成區中的每個的沿所述第一方向的寬度比所述支撐區沿所述第二方向的寬度大。

10.如權利要求8所述的方法，還包括以下步驟：穿通所述第一字線形成區和所述第二字線形成區中的層疊結構而形成與所述襯底的一部分連接的溝道層。