[發(fā)明專利]用于鎳-磷涂覆的存儲(chǔ)磁盤的包含混雜研磨劑的拋光組合物

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310377657.5
• 申請(qǐng)日: 2013-08-27
• 公開（公告）號(hào): CN103627327A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: R.洛皮塔亞;S.帕拉尼薩米欽納薩姆比;H.西里沃達(dá)尼
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 嘉柏微電子材料股份公司
• 主分類號(hào): C09G1/02
• 分類號(hào): C09G1/02;B24B29/00;G11B5/84
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 宋莉

1.拋光組合物，其包含：

(a)研磨劑，其包含：

(i)第一α氧化鋁顆粒，其中所述第一α氧化鋁顆粒具有0.8:1-1.2:1的平均縱橫比，

(ii)第二α氧化鋁顆粒，其中所述第二α氧化鋁顆粒具有大于1.2:1的平均縱橫比，

(iii)熱解氧化鋁顆粒，

(iv)濕法二氧化硅顆粒，以及

(b)水。

2.權(quán)利要求1的組合物，其中所述第二α氧化鋁顆粒具有1.3:1-5:1的平均縱橫比。

3.權(quán)利要求1的組合物，其中所述第一α氧化鋁顆粒與所述第二α氧化鋁顆粒的重量比為0.1:1-1:1。

4.權(quán)利要求1的組合物，其中所述研磨劑包含：(i)1-10重量%的所述第一α氧化鋁顆粒，(ii)20-60重量%的所述第二α氧化鋁顆粒，(iii)5-20重量%的熱解氧化鋁顆粒，和(iv)20-60重量%的濕法二氧化硅顆粒，基于所述拋光組合物中的所述研磨劑的總重量。

5.權(quán)利要求1的組合物，其中所述組合物包含1重量%-10重量%的所述研磨劑。

6.權(quán)利要求1的組合物，其中所述組合物進(jìn)一步包含氧化劑。

7.權(quán)利要求1的組合物，其中所述組合物進(jìn)一步包含用于鎳的螯合劑。

8.權(quán)利要求1的組合物，其中所述組合物進(jìn)一步包含非離子型表面活性劑。

9.權(quán)利要求1的組合物，其中所述第一α氧化鋁顆粒具有200nm-600nm的平均粒度，且所述第二α氧化鋁顆粒具有100nm-600nm的平均粒度。

10.權(quán)利要求1的組合物，其中所述組合物具有1-4的pH。

11.拋光基材的方法，所述方法包括：

(i)提供基材，

(ii)提供拋光墊，

(iii)提供拋光組合物，所述拋光組合物包含：

(a)研磨劑，其包含：

(A)第一α氧化鋁顆粒，其中所述第一α氧化鋁顆粒具有0.81:1-1.2:1的平均縱橫比，

(B)第二α氧化鋁顆粒，其中所述第二α氧化鋁顆粒具有大于1:2的平均縱橫比，

(C)熱解氧化鋁顆粒，

(D)濕法二氧化硅顆粒，以及

(b)水，

(iv)使所述基材的表面與所述拋光墊和所述拋光組合物接觸，和

(v)研磨所述基材的所述表面的至少一部分以除去所述基材的至少一些部分和拋光所述基材的所述表面。

12.權(quán)利要求11的方法，其中所述第二α氧化鋁顆粒具有1.3:1-5:1的平均縱橫比。

13.權(quán)利要求11的方法，其中所述第一α氧化鋁顆粒與所述第二α氧化鋁顆粒的重量比為0.1:1-1:1。

14.權(quán)利要求11的方法，其中所述研磨劑包含：(i)1-10重量%的所述第一α氧化鋁顆粒，(ii)20-60重量%的所述第二α氧化鋁顆粒，(iii)5-20重量%的熱解氧化鋁顆粒，和(iv)20-60重量%的濕法二氧化硅顆粒，基于所述拋光組合物中的所述研磨劑的總重量。

15.權(quán)利要求11的方法，其中所述組合物包含1重量%-10重量%的所述研磨劑。

16.權(quán)利要求11的方法，其中所述組合物進(jìn)一步包含氧化劑。

17.權(quán)利要求11的方法，其中所述組合物進(jìn)一步包含用于鎳的螯合劑。

18.權(quán)利要求11的方法，其中所述組合物進(jìn)一步包含非離子型表面活性劑。

19.權(quán)利要求11的方法，其中所述第一α氧化鋁顆粒具有200nm-600nm的平均粒度，且所述第二α氧化鋁顆粒具有100nm-600nm的平均粒度。

20.權(quán)利要求11的方法，其中所述組合物具有1-4的pH。

21.權(quán)利要求11的方法，其中所述基材包含至少一層鎳-磷，且從所述基材的所述表面除去至少一些鎳-磷以拋光所述基材的所述表面。

22.權(quán)利要求21的方法，其中所述基材為鎳-磷涂覆的鋁存儲(chǔ)磁盤。