[發明專利]一種用于化學機械拋光工藝的拋光墊修整方法在審
| 申請號： | 201310376775.4 | 申請日： | 2013-08-26 |
| 公開（公告）號： | CN104416466A | 公開（公告）日： | 2015-03-18 |
| 發明（設計）人： | 胡平;張健 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | B24B53/12 | 分類號： | B24B53/12 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所 31219 | 代理人： | 李儀萍 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 化學 機械拋光 工藝 拋光 修整 方法 | ||
1.一種用于化學機械拋光工藝的拋光墊修整方法，其特征在于，所述拋光墊修整方法至少包括步驟：
提供修整器，以設定的壓力將所述修整器壓于拋光墊上；
提供拋光頭，所述拋光頭夾持晶圓并使晶圓與所述拋光墊接觸；
完成每片晶圓拋光工藝的時間內，所述修整器修整拋光墊至少兩次。
2.根據權利要求1所述的用于化學機械拋光工藝的拋光墊修整方法，其特征在于：修整器修整拋光墊的總時間為T1，時間T1的范圍為5～400秒。
3.根據權利要求1所述的用于化學機械拋光工藝的拋光墊修整方法，其特征在于：修整器每次修整拋光墊的平均時間為T2，時間T2的范圍為5～50秒。
4.根據權利要求2所述的用于化學機械拋光工藝的拋光墊修整方法，其特征在于：所述修整器修整拋光墊的總時間T1占晶圓拋光總時間的百分比范圍為5%～80%。
5.根據權利要求1所述的用于化學機械拋光工藝的拋光墊修整方法，其特征在于：所述設定的壓力范圍為0.1～20磅。
6.根據權利要求1所述的用于化學機械拋光工藝的拋光墊修整方法，其特征在于：所述拋光墊覆蓋于一拋光平臺上，所述拋光平臺帶動拋光墊以設定的轉速旋轉，所述拋光平臺的轉速的范圍為20～200轉/分鐘。
7.根據權利要求1所述的用于化學機械拋光工藝的拋光墊修整方法，其特征在于：所述修整器修整拋光墊時，修整器以設定的轉速旋轉，所述修整器的轉速范圍為20～200轉/分鐘。
8.根據權利要求1所述的用于化學機械拋光工藝的拋光墊修整方法，其特征在于：所述修整器包括基底和通過固定層設置在所述基底上的磨料顆粒，所述磨料顆粒與拋光墊接觸。
9.根據權利要求8所述的用于化學機械拋光工藝的拋光墊修整方法，其特征在于：所述磨料顆粒為金剛石。
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