[發明專利]具有傾斜源極/漏極的半導體器件和關聯方法

在審

• 申請號: 201310376750.4
• 申請日: 2013-08-21
• 公開（公告）號: CN103632937A
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 柳青;P·卡雷;N·勞貝特
• 申請（專利權）人: 意法半導體公司
• 主分類號: H01L21/265
• 分類號: H01L21/265;H01L29/66;H01L29/78
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 王茂華;張寧

1.一種半導體器件，包括：

半導體襯底，具有在所述半導體襯底中的溝道區域；

在所述溝道區域以上的柵極結構；

在所述柵極結構的相對側上的源極區域和漏極區域；

在所述源極區域和所述漏極區域中的每個區域上的相應接觸；

所述源極區域和所述漏極區域中的至少一個區域具有相對于所述相應接觸的傾斜的上接觸表面。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述傾斜的上接觸表面背離所述柵極結構向下傾斜。

3.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述傾斜的上接觸表面以30-45度的范圍內的角度傾斜。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述源極區域和所述漏極區域包括相應凸起的源極區域和漏極區域。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述傾斜的上接觸表面具有比對應平坦接觸表面將有的面積大至少50％的面積。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其中所述柵極結構包括柵極堆疊和在所述柵極堆疊的相對側上的至少一個側壁間隔物。

7.根據權利要求6所述的半導體器件，其中所述柵極堆疊包括與所述溝道區域相鄰的電介質層和在所述電介質層上的傳導層。

8.一種互補金屬氧化物半導體(CMOS)半導體器件，包括：

半導體襯底，具有在所述半導體襯底中的p溝道區域和n溝道區域；

在所述p溝道區域和所述n溝道區域以上的相應柵極結構；

在每個柵極結構的相對側上的相應源極區域和漏極區域；以及

在所述源極區域和所述漏極區域中的每個區域上的相應接觸；

所述源極區域和所述漏極區域中的至少一個區域具有相對于所述相應接觸的傾斜的上接觸表面，而所述傾斜的上接觸表面以以30-45度的范圍內的角度背離所述柵極結構向下傾斜。

9.根據權利要求8所述的CMOS半導體器件，其中所述相應源極區域和漏極區域包括相應凸起的源極區域和漏極區域。

10.根據權利要求8所述的CMOS半導體器件，其中所述傾斜的上接觸表面具有比對應平坦接觸表面將有的面積大至少50％的面積。

11.根據權利要求8所述的CMOS半導體器件，其中每個柵極結構包括柵極堆疊和在所述柵極堆疊的相對側上的至少一個側壁間隔物。

12.根據權利要求11所述的CMOS半導體器件，其中每個柵極堆疊包括與所述溝道區域相鄰的電介質層和在所述電介質層上的傳導層。

13.一種用于制作半導體器件的方法，包括：

提供其中具有溝道區域的半導體襯底；

在所述溝道區域以上形成柵極結構；

在所述柵極結構的相對側上形成源極區域和漏極區域；并且

在所述源極區域和所述漏極區域中的每個區域上形成相應接觸；

所述源極區域和所述漏極區域中的至少一個區域具有相對于所述相應接觸的傾斜的上接觸表面。

14.根據權利要求13所述的方法，其中形成所述傾斜的上接觸表面包括蝕刻步驟。

15.根據權利要求13所述的方法，其中所述傾斜的上接觸表面背離所述柵極結構向下傾斜。

16.根據權利要求13所述的方法，其中所述傾斜的上接觸表面以30-45度的范圍內的角度傾斜。

17.根據權利要求13所述的方法，其中所述源極區域和所述漏極區域包括相應凸起的源極區域和漏極區域。

18.根據權利要求17所述的方法，其中形成所述相應凸起的源極區域和漏極區域包括在所述半導體襯底上形成外延層。

19.根據權利要求13所述的方法，其中所述傾斜的上接觸表面具有比對應平坦接觸表面將有的面積大至少50％的面積。

20.根據權利要求13所述的方法，其中所述柵極結構包括柵極堆疊和在所述柵極堆疊的相對側上的至少一個側壁間隔物。