[發明專利]化合物半導體器件及其制造方法

有效

• 申請號: 201310376379.1
• 申請日: 2013-08-26
• 公開（公告）號: CN103715247A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 鐮田陽一;木內謙二
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社;富士通半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/417;H01L29/43;H01L21/335;H01L21/28
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 顧晉偉;全萬志

1.一種化合物半導體器件，包括：

化合物半導體層；

形成在所述化合物半導體層的上側上的一對電極；以及

設置在所述一對電極中的至少一個電極的下部中并且其電阻值比所述電極的電阻值高的高電阻層。

2.根據權利要求1所述的化合物半導體器件，其中所述高電阻層包含滿足x+y+z=1和0<x<1的Al_x-Si_y-N_z化合物。

3.根據權利要求1或2所述的化合物半導體器件，其中所述高電阻層局部地設置在所述下部的更靠近另一電極的電極端中。

4.根據權利要求1或2所述的化合物半導體器件，其中所述高電阻層具有包含80％或者更多的Al的部分。

5.根據權利要求1或2所述的化合物半導體器件，其中在所述高電阻層中，從遠離另一電極的電極端朝向靠近所述另一電極的電極端，Al含量比從等于或高于80％的值逐漸降低。

6.一種制造化合物半導體器件的方法，包括：

形成化合物半導體層；以及

在所述化合物半導體層的上側上形成一對電極，

其中在所述一對電極中的至少一個電極的下部中形成電阻值比所述電極的電阻值高的高電阻層。

7.根據權利要求6所述的制造化合物半導體器件的方法，其中所述高電阻層包含滿足x+y+z=1和0<x<1的Al_x-Si_y-N_z化合物。

8.根據權利要求6或7所述的制造化合物半導體器件的方法，其中所述高電阻層局部地設置在所述下部的更靠近另一電極的電極端中。

9.根據權利要求6或7所述的制造化合物半導體器件的方法，其中所述高電阻層具有包含80％或者更多的Al的部分。

10.根據權利要求6或7所述的制造化合物半導體器件的方法，其中在所述高電阻層中，從遠離另一電極的電極端朝向靠近所述另一電極的電極端，Al含量比從等于或高于80％的值逐漸降低。