[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 201310375874.0
• 申請日: 2013-08-26
• 公開（公告）號: CN103681665A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 末代知子;小倉常雄;中村和敏;押野雄一;二宮英彰;池田佳子
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L27/06
• 分類號: H01L27/06
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 楊謙;胡建新

1.一種半導體裝置，其特征在于，

具備：

二極管區域，設在第1電極上，作為二極管發揮功能；以及

終端區域，鄰接于上述二極管區域，設在上述第1電極上；

并具備：

第1導電型的陰極層，在上述二極管區域中設在上述第1電極的第一面側，作為二極管的陰極發揮功能；

第1導電型的第1半導體區域，在上述二極管區域及上述終端區域中設在上述第1電極的上述第一面側；

第1導電型的漂移層，在上述二極管區域及上述終端區域中設在上述第1半導體區域的與上述第1電極側相反的一側；

第2導電型的陽極層，在上述二極管區域中設在上述漂移層的與上述第1電極側相反的一側；

第2導電型的第2擴散層，在上述終端區域中設在上述漂移層的與上述第1電極側相反的一側；以及

陽極電極，電連接于上述陽極層及上述第2擴散層；

上述第1半導體區域，在上述漂移層側的表面具有第一雜質濃度量，而在其內部具有雜質濃度的峰值，并且，在第1電極側的背面具有與上述第一雜質濃度同等以上的第二雜質濃度量。

2.一種半導體裝置，其特征在于，

具備：

二極管區域，設在第1電極上，作為二極管發揮功能；以及

終端區域，鄰接于上述二極管區域，設在上述第1電極上；

并具備：

第1導電型的陰極層，在上述二極管區域中設在上述第1電極的第一面側，作為二極管的陰極發揮功能；

第2導電型的第1半導體區域，在上述終端區域中設在上述第1電極的上述第一面側，在與上述第1電極平行的方向上以規定間距重復配置；

第1導電型的漂移層，在上述二極管區域及上述終端區域中設在上述陰極層及上述第1半導體區域的與上述第1電極側相反的一側；以及

第2導電型的第2擴散層，在上述終端區域中設在上述漂移層的與上述第1電極側相反的一側。

3.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

該半導體裝置還具備第1導電型的第1緩沖層，該第1導電型的第1緩沖層在上述二極管區域中設在上述陰極層與上述漂移層之間，且在上述終端區域中設在上述第1半導體區域與上述漂移層之間。

4.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

該半導體裝置還具備第2緩沖層，該第2緩沖層在上述終端區域中與上述第1半導體區域相分離且設在上述漂移層中，

上述第2緩沖層含有氫離子。

5.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

上述第2擴散層延伸到上述二極管區域與上述終端區域之間的邊界，

上述陰極層與上述邊界分離設置。

6.如權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

在上述二極管區域中，還具備設在上述第1導電型的陰極層內的第2導電型的第3擴散層。

7.一種半導體裝置，其特征在于，

具備：

二極管區域，設在第1電極上，作為二極管發揮功能；以及

終端區域，鄰接于上述二極管區域，設在上述第1電極上；

并具備：

第1導電型的陰極層，在上述二極管區域及上述終端區域中設在上述第1電極的第一面側，作為二極管的陰極發揮功能；

第2導電型的第1半導體區域，在上述終端區域中設在上述第1導電型的陰極層內，在與上述第1電極平行方向上以規定間距重復配置；

第1導電型的漂移層，在上述二極管區域及上述終端區域中設在上述陰極層及上述第1半導體區域的與上述第1電極側相反的一側；以及

第2導電型的第2擴散層，在上述終端區域中設在上述漂移層的與上述第1電極側相反的一側。

8.如權利要求7所述的半導體裝置，其特征在于，

在上述二極管區域中，還具備設在上述第1導電型的陰極層內的第2導電型的第3擴散層。