[發明專利]半導體裝置的制造裝置以及半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201310375764.4
• 申請日: 2013-08-26
• 公開（公告）號: CN103715117B
• 公開（公告）日: 2016-11-16
• 發明（設計）人: 杉沢佳史
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 陳海紅;段承恩

相關申請

本申請以日本專利申請2012-218800號（申請日：2012年9月28日）以及日本專利申請2013-94679號（申請日：2013年4月26日）為申請基礎，享有優先權。本申請通過參照這些基礎申請而包含基礎申請的全部內容。

技術領域

本發明涉及半導體裝置的制造裝置以及半導體裝置的制造方法。

背景技術

在晶片的一面形成有多個半導體裝置的電路。在晶片的另一面形成有粘接劑層。

有下述半導體裝置的制造方法：在利用切割刀片材（dicing?blade）將晶片分割成單個半導體芯片時，將粘接劑層也和晶片一并從半導體晶片側分割。該制造方法能夠縮小半導體芯片與粘接劑層的錯位（位置偏移）。

另一方面，有通稱為先切割的半導體裝置的制造方法：在將晶片分割成單個半導體芯片時，利用切割刀片材在晶片上形成槽，之后從晶片的沒有形成電路的背面進行磨削直至到達槽的厚度為止。該制造方法能夠減小半導體芯片的厚度。

在先切割中，因為在背面磨削時將晶片分割成半導體芯片，所以無法預先在晶片背面設置粘接劑層。因為無法組合上述的兩個制造方向，所以難以減小粘接劑層相對于厚度薄的半導體芯片的錯位。

發明內容

發明要解決的課題

本發明提供能夠減小粘接劑層相對于厚度薄的半導體芯片的錯位的半導體裝置的制造裝置、半導體裝置的制造方法。

用于解決課題的技術方案

一個實施方式涉及的半導體裝置的制造裝置，其特征在于，具備：供給部，其用于供給卷繞成滾筒狀的片材；和貼附部，其在從所述供給部的卷繞成滾筒狀的所述片材被拉出的部分貼附晶片，在所述片材的位于所述晶片周圍的空白部分貼附用于拉伸所述片材的環，所述片材具有基基材和粘接劑層，所述貼附部進行貼附，使得以在所述晶片上設置的方向識別部為基準的方向和滾筒狀所述片材的拉出方向所成的角成為15～75度。

一個實施方式涉及的半導體裝置的制造方法，從卷繞成滾筒狀的片材中拉出所述片材；在所述片材的被拉出的部分貼附設有多個半導體芯片的晶片，在所述片材的位于所述晶片周圍的空白部分貼附環；通過將所述晶片置于載物臺上，沿所述晶片的貼附于所述片材的面方向增大所述載物臺與所述環的距離，由此將所述片材的粘接劑層分離成與所述半導體芯片相應的形狀；與所述粘接劑層一并將各個所述半導體芯片從所述片材剝離，該半導體裝置的制造方法的特征在于，所述片材具有基材、在所述基材上設置的剝離促進層和在剝離促進層上設置的粘接劑層。

附圖說明

圖1是表示半導體裝置的制造方法的流程圖。

圖2是表示半導體裝置的制造過程的立體圖。

圖3是表示半導體裝置的制造過程的立體圖。

圖4是表示半導體裝置的制造過程的立體圖。

圖5是表示半導體裝置的制造過程的立體圖。

圖6是表示半導體裝置的制造過程的立體圖。

圖7是表示半導體裝置的制造過程的立體圖。

圖8是表示半導體裝置的制造過程的剖視圖。

圖9是表示導體裝置的制造過程的立體圖。

圖10是表示半導體裝置的制造過程的剖視圖。

圖11是表示半導體裝置的制造過程的立體圖。

圖12是表示制造裝置的圖。

圖13是表示供給部件的截面結構圖。

圖14是表示供給部件的制造過程的圖。

圖15是表示制造裝置的圖。

圖16是表示制造裝置的圖。

圖17是表示制造裝置的圖。

圖18是供給部件的伸長率與拉伸強度的關系圖。

圖19是距離與角度的關系圖

附圖標記說明

100…晶片、101…刀片材、102…槽、103…保護片材、104…磨削工具、105…DAF、106…帶、107…環、108…基材、109…剝離促進層、110…載物臺、111…芯片材、112…框架、113…供給部件、114…拉出方向、115…載置部、116…方向識別部、117…高彈性模量帶、201…供給部、202…貼附部、203…回收部、204…支撐部

具體實施方式