[發(fā)明專利]半導(dǎo)體發(fā)光元件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310375762.5 | 申請日: | 2013-08-26 |
| 公開(公告)號: | CN103682024A | 公開(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 橫山英祐 | 申請(專利權(quán))人: | 豐田合成株式會社 |
| 主分類號: | H01L33/40 | 分類號: | H01L33/40 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務(wù)所 11247 | 代理人: | 段承恩;楊光軍 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體 發(fā)光 元件 | ||
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件,其特征在于,具備:
具有第1導(dǎo)電類型的III-V族半導(dǎo)體的第1半導(dǎo)體層;
與該第1半導(dǎo)體層接觸地設(shè)置在所述第1半導(dǎo)體層上,通過通電而發(fā)光的III-V族半導(dǎo)體的發(fā)光層;
與該發(fā)光層接觸地設(shè)置在所述發(fā)光層上,具有與所述第1導(dǎo)電類型相反的第2導(dǎo)電類型的III-V族半導(dǎo)體的第2半導(dǎo)體層;
與該第2半導(dǎo)體層接觸地設(shè)置在所述第2半導(dǎo)體層上,相對于所述發(fā)光層射出的光具有透過性的透光性電極膜;
與該透光性電極膜接觸地設(shè)置在所述透光性電極膜上的一部分上,成為用于向所述發(fā)光層通電的一方端子的第1電極;和
與所述第1半導(dǎo)體層連接,并且與所述第1電極設(shè)在同一面?zhèn)龋蔀橛糜谙蛩霭l(fā)光層通電的另一方端子的第2電極,
所述第1電極和所述第2電極的任一方,在所述發(fā)光層的平面形狀中位于中央部,
所述第1電極和所述第2電極的另一方具備:被從外部施加電壓的連接部;和從該連接部延伸,以與該第1電極和該第2電極的任一方的外周的至少一部分相對的方式設(shè)置,并設(shè)定為該電壓的延伸部,
所述透光性電極膜,從所述第1電極朝向所述第2電極被劃分為連續(xù)的多個區(qū)域,該多個區(qū)域的各區(qū)域中的面方向的電阻,以從與該第1電極相鄰的區(qū)域朝向與該第2電極相鄰的區(qū)域依次變大的方式設(shè)定。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件,其特征在于,所述透光性電極膜的所述多個區(qū)域的各區(qū)域中的面方向的電阻,通過在該透光性電極膜上以密度和大小的至少任一方不同的方式設(shè)置多個孔來設(shè)定。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件,其特征在于,所述第1導(dǎo)電類型為n型,所述第2導(dǎo)電類型為p型。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件,其特征在于,所述透光性電極膜的所述多個區(qū)域的各區(qū)域中的面方向的電阻,通過以所述各區(qū)域的厚度不同的方式設(shè)置該透光性電極膜的厚度來設(shè)定。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~4的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件,其特征在于,所述透光性電極膜由氧化物導(dǎo)電材料構(gòu)成。
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