[發明專利]側邊發射半導體發光器件、背光模組及面發光光源

無效

• 申請號: 201310375613.9
• 申請日: 2013-08-26
• 公開（公告）號: CN103557445A
• 公開（公告）日: 2014-02-05
• 發明（設計）人: 梁秉文;張濤;金忠良
• 申請（專利權）人: 中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
• 主分類號: F21S2/00
• 分類號: F21S2/00;F21V8/00;F21V19/00
• 代理公司: 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256
• 代理人: 王鋒

1.一種側邊發射半導體發光器件，包括至少一半導體發光元件，所述發光元件至少具有發光層，所述發光層與一導光元件平行設置，其特征在于，所述發光元件還包括:

用以使所述發光層產生的光線僅從發光元件的出光面出射的導向性反射結構，所述出光面分布在發光元件的一側面上;

所述發光元件的出光面與所述導光元件的入光面對應設置，且至少所述發光層分布在所述導光元件頂、底端面之間的平面上，所述入光面分布在導光元件的一側面上。

2.根據權利要求1所述的側邊發射半導體發光器件，其特征在于，所述半導體發光元件還包括分別設置在所述發光層上、下方的第一半導體層和第二半導體層，該第一半導體層與第二半導體層組合形成雙異質PN結;

并且，對于所述發光層產生的光線而言，組成所述第一半導體層和第二半導體層的材料的折射率低于組成所述發光層的材料的折射率。

3.根據權利要求2所述的側邊發射半導體發光器件，其特征在于，對于所述發光層產生的光線而言，組成所述第一半導體層和第二半導體層的材料的折射率與組成所述發光層的材料的折射率分別為1.5-2.2和2.5-3.5。

4.根據權利要求1-3中任一項所述的側邊發射半導體發光器件，其特征在于，所述發光元件的出光面還具有減反和/或增透結構。

5.根據權利要求1-3中任一項所述的側邊發射半導體發光器件，其特征在于，所述半導體發光元件還包括襯底。

6.根據權利要求1-3中任一項所述的側邊發射半導體發光器件，其特征在于，所述導光元件包括導光板。

7.一種背光模組，包含導光板，其特征在于，它還包括權利要求1-6中任一項所述的側邊發射半導體發光器件。

8.一種面發光光源，其特征在于，包含權利要求7所述的背光模組。

9.根據權利要求8所述的面發光光源，其特征在于，它還包括與所述導光板配合的擴散板或棱鏡板。