[發明專利]銅基超疏水表面結構的制備方法

有效

• 申請號: 201310375277.8
• 申請日: 2013-08-26
• 公開（公告）號: CN103406248A
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發明（設計）人: 章橋新;陳玉雪;黃行九
• 申請（專利權）人: 武漢理工大學
• 主分類號: B05D5/08
• 分類號: B05D5/08;B05D3/10
• 代理公司: 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102
• 代理人: 周艷紅

1.一種銅基超疏水表面結構的制備方法，其特征在于，主要包括如下步驟：

第一步，對金屬銅基底預處理；

第二步，將第一步處理好的銅基底表面旋涂一層光刻膠，通過光刻處理，使附著在銅基底表面的光刻膠層形成有序多孔陣列模板；

第三步，以第二步制得的帶有有序多孔陣列模板的銅基底為正極，浸入CuSO₄溶液中構成原電池反應4～8min；

第四步，將第三步原電池反應后的銅基底浸入AgNO₃溶液中原位還原30～70s；

第五步，將經過第四步反應后的銅基底進行表面硅烷化處理，制得銅基超疏水表面結構。

2.根據權利要求1所述的銅基超疏水表面結構的制備方法，其特征在于：所述第一步中，對金屬銅基底預處理包括如下操作：先用20mmol/L的稀鹽酸溶液腐蝕清洗，除去表面氧化/氫氧化膜，而后依次用丙酮、無水乙醇、去離子水超聲清洗8～12min。

3.根據權利要求1所述的銅基超疏水表面結構的制備方法，其特征在于：所述第二步中，光刻處理后形成的有序多孔陣列模板上孔徑為8～16μm，節距為16～32μm。

4.根據權利要求1至3中任一權利要求所述的銅基超疏水表面結構的制備方法，其特征在于：所述第三步浸入CuSO₄溶液中進行原電池反應包括如下操作：首先將銅基底上暴露在外且無有序多孔陣列模板的部分進行封涂，而后以銅基底為正極，等大小的鋅片為負極，使正負極保持恒定間距浸入CuSO₄溶液中反應。

5.根據權利要求1至3中任一權利要求所述的銅基超疏水表面結構的制備方法，其特征在于：所述第四步浸入AgNO₃溶液中進行還原反應在第三步原電池反應后立即進行，以避免銅基底表面在空氣中被氧化。

6.根據權利要求4所述的銅基超疏水表面結構的制備方法，其特征在于：所述第四步浸入AgNO₃溶液中進行還原反應在第三步原電池反應后立即進行，以避免銅基底表面在空氣中被氧化。

7.根據權利要求1至3中任一權利要求所述的一種銅基超疏水表面結構的制備方法，其特征在于：所述第五步表面硅烷化處理步驟選用含20mmol/L氟硅烷的醇溶液，首先將其滴在銅基底表面，而后在空氣中常溫干燥24h。

8.根據權利要求7所述的一種銅基超疏水表面結構的制備方法，其特征在于：所述氟硅烷為1H,1H,2H,2H-全氟癸基三氯硅烷、1H,1H,2H,2H-全氟癸烷基三乙氧基硅烷、1H,1H,2H,2H-全氟辛基三乙氧基硅烷中的一種。