[發明專利]一種用于半導體器件制備的光刻對準標記制作方法在審
| 申請號： | 201310375142.1 | 申請日： | 2013-08-26 |
| 公開（公告）號： | CN103456659A | 公開（公告）日： | 2013-12-18 |
| 發明（設計）人： | 呂元杰;馮志紅;敦少博;顧國棟;韓婷婷;王俊龍 | 申請（專利權）人： | 中國電子科技集團公司第十三研究所 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 石家莊國為知識產權事務所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 050051 *** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 用于 半導體器件 制備 光刻 對準 標記 制作方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于半導體器件制備的光刻對準標記制作方法，其特征在于包括以下步驟：
1）在半導體材料（1）的上表面懸涂光刻膠（2）；
2）利用光刻掩膜板，通過光刻工藝將光刻標記位置的光刻膠（2）去除；
3）通過蒸發工藝，在做好標記光刻圖形的樣品上蒸發一層硅晶體材料（3）；
4）通過剝離工藝將光刻膠（2）去除，在去除光刻膠（2）的同時光刻膠（2）上的硅晶體材料（3）被去除，得到硅光刻對準標記（4）。
2.根據權利要求1所述的一種用于半導體器件制備的光刻對準標記制作方法，其特征在于所述硅晶體材料（3）的厚度≥40nm。
3.根據權利要求1或2所述的一種用于半導體器件制備的光刻對準標記制作方法，其特征在于所述半導體材料（1）為Si、GaAs或GaN。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
